Transkonduktanz unter Verwendung von Process Transconductance Parameter und Overdrive Voltage Taschenrechner

✖Der Process Transconductance Parameter (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.ⓘ Transkonduktanzparameter verarbeiten [k'_n]			+10% -10%
✖Das Seitenverhältnis ist definiert als das Verhältnis der Breite des Transistorkanals zu seiner Länge. Es ist das Verhältnis der Breite des Tores zum Abstand zwischen der Quelleⓘ Seitenverhältnis [WL]			+10% -10%
✖Übersteuerungsspannung ist ein Begriff aus der Elektronik und bezieht sich auf den an ein Gerät oder eine Komponente angelegten Spannungspegel, der seine normale Betriebsspannung überschreitet.ⓘ Overdrive-Spannung [V_ov]			+10% -10%

✖Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.ⓘ Transkonduktanz unter Verwendung von Process Transconductance Parameter und Overdrive Voltage [g_m]

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Formel

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Transkonduktanz unter Verwendung von Process Transconductance Parameter und Overdrive Voltage

Formel

g m = k' n \cdot WL \cdot V ov

Beispiel

0.48 mS = 0.015 A/V² \cdot 0.1 \cdot 0.32 V

Taschenrechner

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Transkonduktanz unter Verwendung von Process Transconductance Parameter und Overdrive Voltage Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Steilheit = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*Overdrive-Spannung
g_m = k'_n*WL*V_ov
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
Transkonduktanzparameter verarbeiten - (Gemessen in Ampere pro Quadratvolt) - Der Process Transconductance Parameter (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.
Seitenverhältnis - Das Seitenverhältnis ist definiert als das Verhältnis der Breite des Transistorkanals zu seiner Länge. Es ist das Verhältnis der Breite des Tores zum Abstand zwischen der Quelle
Overdrive-Spannung - (Gemessen in Volt) - Übersteuerungsspannung ist ein Begriff aus der Elektronik und bezieht sich auf den an ein Gerät oder eine Komponente angelegten Spannungspegel, der seine normale Betriebsspannung überschreitet.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Transkonduktanzparameter verarbeiten: 0.015 Ampere pro Quadratvolt --> 0.015 Ampere pro Quadratvolt Keine Konvertierung erforderlich
Seitenverhältnis: 0.1 --> Keine Konvertierung erforderlich
Overdrive-Spannung: 0.32 Volt --> 0.32 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

g_m = k'_n*WL*V_ov --> 0.015*0.1*0.32

Auswerten ... ...

g_m = 0.00048

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.00048 Siemens -->0.48 Millisiemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.48 Millisiemens <-- Steilheit

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

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Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter

Gehen Steilheit = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)

Steilheit bei gegebenem Drain-Strom

Gehen Steilheit = sqrt(2*Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*Stromverbrauch)

Transkonduktanz unter Verwendung von Process Transconductance Parameter und Overdrive Voltage

Gehen Steilheit = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*Overdrive-Spannung

Strom mithilfe der Transkonduktanz ableiten

Gehen Stromverbrauch = (Overdrive-Spannung)*Steilheit/2

Mehr sehen >>

Transkonduktanz unter Verwendung von Process Transconductance Parameter und Overdrive Voltage Formel

Steilheit = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*Overdrive-Spannung
g_m = k'_n*WL*V_ov

Was ist die Verwendung der Transkonduktanz in MOSFET?

Die Transkonduktanz ist ein Ausdruck der Leistung eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors (FET). Im Allgemeinen ist die Verstärkung (Verstärkung), die es liefern kann, umso größer, je größer die Transkonduktanzzahl für ein Gerät ist, wenn alle anderen Faktoren konstant gehalten werden.

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