Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers Taschenrechner

✖Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.ⓘ Kollektorstrom [i_c]			+10% -10%
✖Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.ⓘ Grenzspannung [V_t]			+10% -10%

✖Die primäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms geteilt durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung.ⓘ Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers [g_mp]

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Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

MOSFET-Primärtranskonduktanz = Kollektorstrom/Grenzspannung
g_mp = i_c/V_t
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

MOSFET-Primärtranskonduktanz - (Gemessen in Siemens) - Die primäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms geteilt durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung.
Kollektorstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Kollektorstrom: 39.52 Milliampere --> 0.03952 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Grenzspannung: 2 Volt --> 2 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

g_mp = i_c/V_t --> 0.03952/2

Auswerten ... ...

g_mp = 0.01976

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.01976 Siemens -->19.76 Millisiemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

19.76 Millisiemens <-- MOSFET-Primärtranskonduktanz

(Berechnung in 00.022 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

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Strom, der durch den induzierten Kanal im Transistor bei gegebener Oxidspannung fließt

LaTeX Gehen Ausgangsstrom = (Mobilität des Elektrons*Oxidkapazität*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Spannung über Oxid-Grenzspannung))*Sättigungsspannung zwischen Drain und Source

Stromeintritt in den Drain-Anschluss des MOSFET bei Sättigung

LaTeX Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Effektive Spannung)^2

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Eingangswiderstand des Verstärkers mit gemeinsamem Emitter

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Eingangsimpedanz des Common-Base-Verstärkers

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Emitterstrom des Verstärkers in Basisschaltung

LaTeX Gehen Emitterstrom = Eingangsspannung/Emitterwiderstand

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Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers Formel

LaTeX Gehen

MOSFET-Primärtranskonduktanz = Kollektorstrom/Grenzspannung
g_mp = i_c/V_t

Was ist die Verwendung der Transkonduktanz in MOSFET?

Die Transkonduktanz ist ein Ausdruck der Leistung eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors (FET). Im Allgemeinen ist die Verstärkung (Verstärkung), die es liefern kann, umso größer, je größer die Transkonduktanzzahl für ein Gerät ist, wenn alle anderen Faktoren konstant gehalten werden.

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