Steilheit von Transistorverstärkern Taschenrechner

✖Der Drain-Strom unterhalb der Schwellenspannung wird als Strom unterhalb der Schwelle definiert und variiert exponentiell mit der Gate-Source-Spannung.ⓘ Stromverbrauch [i_d]			+10% -10%
✖Die Spannung am Oxid ist auf die Ladung an der Oxid-Halbleiter-Grenzfläche zurückzuführen und der dritte Term ist auf die Ladungsdichte im Oxid zurückzuführen.ⓘ Spannung über Oxid [V_ox]			+10% -10%
✖Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.ⓘ Grenzspannung [V_t]			+10% -10%

✖Die primäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms geteilt durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung.ⓘ Steilheit von Transistorverstärkern [g_mp]

⎘ Kopie

👎

Formel

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen Eigenschaften des Transistorverstärkers Formeln Pdf PDF Image

Steilheit von Transistorverstärkern Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

MOSFET-Primärtranskonduktanz = (2*Stromverbrauch)/(Spannung über Oxid-Grenzspannung)
g_mp = (2*i_d)/(V_ox-V_t)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

MOSFET-Primärtranskonduktanz - (Gemessen in Siemens) - Die primäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms geteilt durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung.
Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom unterhalb der Schwellenspannung wird als Strom unterhalb der Schwelle definiert und variiert exponentiell mit der Gate-Source-Spannung.
Spannung über Oxid - (Gemessen in Volt) - Die Spannung am Oxid ist auf die Ladung an der Oxid-Halbleiter-Grenzfläche zurückzuführen und der dritte Term ist auf die Ladungsdichte im Oxid zurückzuführen.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Stromverbrauch: 17.5 Milliampere --> 0.0175 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Spannung über Oxid: 3.775 Volt --> 3.775 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Grenzspannung: 2 Volt --> 2 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

g_mp = (2*i_d)/(V_ox-V_t) --> (2*0.0175)/(3.775-2)

Auswerten ... ...

g_mp = 0.0197183098591549

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.0197183098591549 Siemens -->19.7183098591549 Millisiemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

19.7183098591549 ≈ 19.71831 Millisiemens <-- MOSFET-Primärtranskonduktanz

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » Verstärker » Transistorverstärker » Eigenschaften des Transistorverstärkers » Steilheit von Transistorverstärkern

Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Prahalad Singh

Jaipur Engineering College und Forschungszentrum (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner verifiziert!

< Eigenschaften des Transistorverstärkers Taschenrechner

Strom, der durch den induzierten Kanal im Transistor bei gegebener Oxidspannung fließt

LaTeX Gehen Ausgangsstrom = (Mobilität des Elektrons*Oxidkapazität*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Spannung über Oxid-Grenzspannung))*Sättigungsspannung zwischen Drain und Source

Stromeintritt in den Drain-Anschluss des MOSFET bei Sättigung

LaTeX Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Effektive Spannung)^2

Gesamte momentane Drain-Spannung

LaTeX Gehen Gesamte momentane Entladespannung = Grundkomponentenspannung-Abflusswiderstand*Stromverbrauch

Eingangsspannung im Transistor

LaTeX Gehen Grundkomponentenspannung = Abflusswiderstand*Stromverbrauch-Gesamte momentane Entladespannung

Mehr sehen >>

Steilheit von Transistorverstärkern Formel

LaTeX Gehen

MOSFET-Primärtranskonduktanz = (2*Stromverbrauch)/(Spannung über Oxid-Grenzspannung)
g_mp = (2*i_d)/(V_ox-V_t)

Was ist die Verwendung der Transkonduktanz in MOSFET?

Die Transkonduktanz ist ein Ausdruck der Leistung eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors (FET). Im Allgemeinen ist die Verstärkung (Verstärkung), die es liefern kann, umso größer, je größer die Transkonduktanzzahl für ein Gerät ist, wenn alle anderen Faktoren konstant gehalten werden.

Zuhause

FREI PDFs

🔍 Suche

Kategorien

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!