Transkonduktanz von FET Taschenrechner

✖Der Zero-Bias-Drain-Strom in einem FET ist der Drain-Strom, der fließt, wenn die Gate-Spannung gleich Null ist.ⓘ Null-Vorspannungs-Drainstrom [I_dss(fet)]			+10% -10%
✖Die Pinch-OFF-Spannung ist die Spannung, bei der der Kanal eines Feldeffekttransistors (FET) so eng wird, dass er sich effektiv schließt und jeden weiteren Stromfluss verhindert.ⓘ Pinch-OFF-Spannung [V_off(fet)]			+10% -10%
✖Die Drain-Source-Spannung des FET ist die Spannung zwischen dem Drain- und dem Source-Anschluss eines FET.ⓘ Drain-Source-Spannung FET [V_ds(fet)]			+10% -10%

✖Der Begriff „Vorwärts-Transkonduktanz-FET“ bezieht sich auf die Änderung des Ausgangsstroms infolge einer Änderung der Eingangsspannung und gibt die Verstärkungsfähigkeit des Geräts an.ⓘ Transkonduktanz von FET [G_m(fet)]

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Formel

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Transkonduktanz von FET

Formel

`"G"_{"m(fet)"} = (2*"I"_{"dss(fet)"})/"V"_{"off(fet)"}*(1-"V"_{"ds(fet)"}/"V"_{"off(fet)"})`

Beispiel

`"0.020072mS"=(2*"0.69mA")/"63.56V"*(1-"4.8V"/"63.56V")`

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Transkonduktanz von FET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Vorwärts-Transkonduktanz-FET = (2*Null-Vorspannungs-Drainstrom)/Pinch-OFF-Spannung*(1-Drain-Source-Spannung FET/Pinch-OFF-Spannung)
G_m(fet) = (2*I_dss(fet))/V_off(fet)*(1-V_ds(fet)/V_off(fet))
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Vorwärts-Transkonduktanz-FET - (Gemessen in Siemens) - Der Begriff „Vorwärts-Transkonduktanz-FET“ bezieht sich auf die Änderung des Ausgangsstroms infolge einer Änderung der Eingangsspannung und gibt die Verstärkungsfähigkeit des Geräts an.
Null-Vorspannungs-Drainstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Zero-Bias-Drain-Strom in einem FET ist der Drain-Strom, der fließt, wenn die Gate-Spannung gleich Null ist.
Pinch-OFF-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Pinch-OFF-Spannung ist die Spannung, bei der der Kanal eines Feldeffekttransistors (FET) so eng wird, dass er sich effektiv schließt und jeden weiteren Stromfluss verhindert.
Drain-Source-Spannung FET - (Gemessen in Volt) - Die Drain-Source-Spannung des FET ist die Spannung zwischen dem Drain- und dem Source-Anschluss eines FET.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Null-Vorspannungs-Drainstrom: 0.69 Milliampere --> 0.00069 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Pinch-OFF-Spannung: 63.56 Volt --> 63.56 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Drain-Source-Spannung FET: 4.8 Volt --> 4.8 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

G_m(fet) = (2*I_dss(fet))/V_off(fet)*(1-V_ds(fet)/V_off(fet)) --> (2*0.00069)/63.56*(1-4.8/63.56)

Auswerten ... ...

G_m(fet) = 2.00721131473024E-05

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

2.00721131473024E-05 Siemens -->0.0200721131473024 Millisiemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.0200721131473024 ≈ 0.020072 Millisiemens <-- Vorwärts-Transkonduktanz-FET

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Mohamed Fazil V

Acharya-Institut für Technologie (AIT), Bengaluru

Mohamed Fazil V hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner verifiziert!

< 8 FET Taschenrechner

Ohmscher Bereich Drainstrom des FET

Gehen Drain-Strom-FET = Kanalleitfähigkeits-FET*(Drain-Source-Spannung FET+3/2*((Oberflächenpotential-FET+Drain-Source-Spannung FET-Drain-Source-Spannung FET)^(3/2)-(Oberflächenpotential-FET+Drain-Source-Spannung FET)^(3/2))/((Oberflächenpotential-FET+Pinch-OFF-Spannung)^(1/2)))

Transkonduktanz von FET

Gehen Vorwärts-Transkonduktanz-FET = (2*Null-Vorspannungs-Drainstrom)/Pinch-OFF-Spannung*(1-Drain-Source-Spannung FET/Pinch-OFF-Spannung)

Drain-Source-Spannung des FET

Gehen Drain-Source-Spannung FET = Versorgungsspannung am Drain-FET-Drain-Strom-FET*(Drain-Widerstand FET+Quellwiderstand FET)

Gate-Source-Kapazität des FET

Gehen Gate-Source-Kapazität FET = Gate-Source-Kapazität Ausschaltzeit FET/(1-(Drain-Source-Spannung FET/Oberflächenpotential-FET))^(1/3)

Gate-Drain-Kapazität des FET

Gehen Gate-Drain-Kapazität FET = Gate Drain Kapazität Ausschaltzeit FET/(1-Gate-Drain-Spannung FET/Oberflächenpotential-FET)^(1/3)

Drainstrom des FET

Gehen Drain-Strom-FET = Null-Vorspannungs-Drainstrom*(1-Drain-Source-Spannung FET/Abschaltspannung FET)^2

Abschnürspannung des FET

Gehen Pinch-OFF-Spannung = Pinch-OFF-Drain-Source-Spannung FET-Drain-Source-Spannung FET

Spannungsverstärkung des FET

Gehen Spannungsverstärkungs-FET = -Vorwärts-Transkonduktanz-FET*Drain-Widerstand FET

Transkonduktanz von FET Formel

Vorwärts-Transkonduktanz-FET = (2*Null-Vorspannungs-Drainstrom)/Pinch-OFF-Spannung*(1-Drain-Source-Spannung FET/Pinch-OFF-Spannung)
G_m(fet) = (2*I_dss(fet))/V_off(fet)*(1-V_ds(fet)/V_off(fet))

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