Transkonduktanz von BJT bei Eigenverstärkung Taschenrechner

✖Der Drain-Strom unterhalb der Schwellenspannung ist als Unterschwellenstrom definiert und variiert exponentiell mit der Gate-zu-Source-Spannung.ⓘ Stromverbrauch [I_d]			+10% -10%
✖Die Gate-Source-Spannung des Transistors ist die Spannung, die über den Gate-Source-Anschluss des Transistors fällt.ⓘ Gate-Source-Spannung [V_gs]			+10% -10%

✖Die Transkonduktanz ist das Verhältnis der Stromänderung am Ausgangsanschluss zur Spannungsänderung am Eingangsanschluss eines aktiven Geräts.ⓘ Transkonduktanz von BJT bei Eigenverstärkung [G_m]

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Transkonduktanz von BJT bei Eigenverstärkung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Steilheit = Stromverbrauch/Gate-Source-Spannung
G_m = I_d/V_gs
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist das Verhältnis der Stromänderung am Ausgangsanschluss zur Spannungsänderung am Eingangsanschluss eines aktiven Geräts.
Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom unterhalb der Schwellenspannung ist als Unterschwellenstrom definiert und variiert exponentiell mit der Gate-zu-Source-Spannung.
Gate-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-Source-Spannung des Transistors ist die Spannung, die über den Gate-Source-Anschluss des Transistors fällt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Stromverbrauch: 0.3 Milliampere --> 0.0003 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Gate-Source-Spannung: 17 Volt --> 17 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

G_m = I_d/V_gs --> 0.0003/17

Auswerten ... ...

G_m = 1.76470588235294E-05

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1.76470588235294E-05 Siemens -->0.0176470588235294 Millisiemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.0176470588235294 ≈ 0.017647 Millisiemens <-- Steilheit

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner verifiziert!

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Steilheit = Stromverbrauch/Gate-Source-Spannung
G_m = I_d/V_gs

Welcher Transistor hat BJT oder MOS mit höherer Verstärkung und warum?

BJT hat mehr Verstärkung als MOSFET, da MOSFET quadratische IV-Eigenschaften und BJT exponentielle IV-Eigenschaften aufweist und die Änderung des exponentiellen Verhaltens im Vergleich zum quadratischen Verhalten größer ist.

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