Transkonduktanz von BJT bei Eigenverstärkung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Steilheit = Stromverbrauch/Gate-Source-Spannung
Gm = Id/Vgs
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist das Verhältnis der Stromänderung am Ausgangsanschluss zur Spannungsänderung am Eingangsanschluss eines aktiven Geräts.
Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom unterhalb der Schwellenspannung ist als Unterschwellenstrom definiert und variiert exponentiell mit der Gate-zu-Source-Spannung.
Gate-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-Source-Spannung des Transistors ist die Spannung, die über den Gate-Source-Anschluss des Transistors fällt.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Stromverbrauch: 0.3 Milliampere --> 0.0003 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Gate-Source-Spannung: 17 Volt --> 17 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Gm = Id/Vgs --> 0.0003/17
Auswerten ... ...
Gm = 1.76470588235294E-05
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
1.76470588235294E-05 Siemens -->0.0176470588235294 Millisiemens (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.0176470588235294 0.017647 Millisiemens <-- Steilheit
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Parminder Singh
Chandigarh-Universität (KU), Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner verifiziert!

Steilheit Taschenrechner

Körpertranskonduktanz
​ LaTeX ​ Gehen Körpertranskonduktanz = Back-Gate-Transkonduktanzparameter*Steilheit
Transkonduktanz von BJT bei Eigenverstärkung
​ LaTeX ​ Gehen Steilheit = Stromverbrauch/Gate-Source-Spannung
Kurzschluss-Transkonduktanz
​ LaTeX ​ Gehen Steilheit = Ausgangsstrom/Eingangsspannung
Transkonduktanz mit Kollektorstrom
​ LaTeX ​ Gehen Steilheit = Kollektorstrom/Grenzspannung

Transkonduktanz von BJT bei Eigenverstärkung Formel

​LaTeX ​Gehen
Steilheit = Stromverbrauch/Gate-Source-Spannung
Gm = Id/Vgs

Welcher Transistor hat BJT oder MOS mit höherer Verstärkung und warum?

BJT hat mehr Verstärkung als MOSFET, da MOSFET quadratische IV-Eigenschaften und BJT exponentielle IV-Eigenschaften aufweist und die Änderung des exponentiellen Verhaltens im Vergleich zum quadratischen Verhalten größer ist.

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