Transkonduktanz im Sättigungsbereich Taschenrechner

Transkonduktanz = Ausgangsleitfähigkeit*(1-sqrt((Schottky-Diodenpotentialbarriere-Gate-Spannung)/Spannung abklemmen))
g_m = G_o*(1-sqrt((V_i-V_g)/V_p))
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 5 Variablen
sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)Transkonduktanz - (Gemessen in Siemens) - Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Drain-Stroms zur Änderung der Gate-Source-Spannung unter der Annahme einer konstanten Drain-Source-Spannung.
Ausgangsleitfähigkeit - (Gemessen in Siemens) - Die Ausgangsleitfähigkeit stellt die Kleinsignal-Drain-Source-Leitfähigkeit des MOSFET dar, wenn die Gate-Source-Spannung konstant gehalten wird.
Schottky-Diodenpotentialbarriere - (Gemessen in Volt) - Die Schottky-Diode-Potenzialbarriere ist die Energiebarriere, die an der Grenzfläche zwischen einem Metall und einem Halbleitermaterial in einer Schottky-Diode besteht.
Gate-Spannung - (Gemessen in Volt) - Unter Gate-Spannung versteht man die Spannung, die an den Steueranschluss eines MESFET angelegt wird, um dessen Leitfähigkeit zu regulieren. Die Gate-Spannung bestimmt die Anzahl der freien Ladungsträger im Kanal.
Spannung abklemmen - (Gemessen in Volt) - Die Pinch-Off-Spannung ist die Gate-Spannung, bei der der Kanal vollständig abgeschnürt wird, und ist ein Schlüsselparameter beim Betrieb von FETs. Es ist ein wichtiger Parameter beim Schaltungsdesign.

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)