Transkonduktanz im Common-Source-Verstärker Taschenrechner

✖Die Einheitsverstärkungsfrequenz eines Verstärkers ist einfach die Frequenz eines Eingangssignals, bei der die Verstärkung im offenen Regelkreis gleich 1 ist.ⓘ Einheitsgewinnfrequenz [f_ug]			+10% -10%
✖Die Gate-Source-Kapazität ist die Kapazität zwischen dem Gate-Anschluss und dem Source-Anschluss.ⓘ Gate-Source-Kapazität [C_gs]			+10% -10%
✖Die Gate-Drain-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Drain der MOSFET-Verbindung beobachtet wird.ⓘ Kapazitäts-Gate zum Drain [C_gd]			+10% -10%

✖Die primäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms geteilt durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung.ⓘ Transkonduktanz im Common-Source-Verstärker [g_mp]

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Transkonduktanz im Common-Source-Verstärker Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

MOSFET-Primärtranskonduktanz = Einheitsgewinnfrequenz*(Gate-Source-Kapazität+Kapazitäts-Gate zum Drain)
g_mp = f_ug*(C_gs+C_gd)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

MOSFET-Primärtranskonduktanz - (Gemessen in Siemens) - Die primäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms geteilt durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung.
Einheitsgewinnfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Die Einheitsverstärkungsfrequenz eines Verstärkers ist einfach die Frequenz eines Eingangssignals, bei der die Verstärkung im offenen Regelkreis gleich 1 ist.
Gate-Source-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Source-Kapazität ist die Kapazität zwischen dem Gate-Anschluss und dem Source-Anschluss.
Kapazitäts-Gate zum Drain - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Drain-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Drain der MOSFET-Verbindung beobachtet wird.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Einheitsgewinnfrequenz: 51.57 Hertz --> 51.57 Hertz Keine Konvertierung erforderlich
Gate-Source-Kapazität: 145.64 Mikrofarad --> 0.00014564 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Kapazitäts-Gate zum Drain: 237.65 Mikrofarad --> 0.00023765 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

g_mp = f_ug*(C_gs+C_gd) --> 51.57*(0.00014564+0.00023765)

Auswerten ... ...

g_mp = 0.0197662653

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.0197662653 Siemens -->19.7662653 Millisiemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

19.7662653 ≈ 19.76627 Millisiemens <-- MOSFET-Primärtranskonduktanz

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

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Transkonduktanz im Common-Source-Verstärker Formel

LaTeX Gehen

MOSFET-Primärtranskonduktanz = Einheitsgewinnfrequenz*(Gate-Source-Kapazität+Kapazitäts-Gate zum Drain)
g_mp = f_ug*(C_gs+C_gd)

Was ist ein Common Source-Verstärker?

Wenn das Eingangssignal an den Gate-Anschluss und den Source-Anschluss angelegt wird, wird die Ausgangsspannung verstärkt und über den Widerstand an der Last im Drain-Anschluss erhalten. Dies wird als Common-Source-Verstärker bezeichnet.

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