Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Steilheit = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)
gm = k'n*WL*(Vgs-Vth)
Diese formel verwendet 5 Variablen
Verwendete Variablen
Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
Transkonduktanzparameter verarbeiten - (Gemessen in Ampere pro Quadratvolt) - Der Process Transconductance Parameter (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.
Seitenverhältnis - Das Seitenverhältnis ist definiert als das Verhältnis der Breite des Transistorkanals zu seiner Länge. Es ist das Verhältnis der Breite des Tores zum Abstand zwischen der Quelle
Gate-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung, auch Gate-Schwellenspannung oder einfach Vth genannt, ist ein kritischer Parameter beim Betrieb von Feldeffekttransistoren, die grundlegende Komponenten moderner Elektronik sind.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Transkonduktanzparameter verarbeiten: 0.015 Ampere pro Quadratvolt --> 0.015 Ampere pro Quadratvolt Keine Konvertierung erforderlich
Seitenverhältnis: 0.1 --> Keine Konvertierung erforderlich
Gate-Source-Spannung: 4 Volt --> 4 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Grenzspannung: 3.68 Volt --> 3.68 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
gm = k'n*WL*(Vgs-Vth) --> 0.015*0.1*(4-3.68)
Auswerten ... ...
gm = 0.00048
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.00048 Siemens -->0.48 Millisiemens (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.48 Millisiemens <-- Steilheit
(Berechnung in 00.005 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Anshika Arya
Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur
Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

Steilheit Taschenrechner

Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter
​ LaTeX ​ Gehen Steilheit = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)
Steilheit bei gegebenem Drain-Strom
​ LaTeX ​ Gehen Steilheit = sqrt(2*Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*Stromverbrauch)
Transkonduktanz unter Verwendung von Process Transconductance Parameter und Overdrive Voltage
​ LaTeX ​ Gehen Steilheit = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*Overdrive-Spannung
Strom mithilfe der Transkonduktanz ableiten
​ LaTeX ​ Gehen Stromverbrauch = (Overdrive-Spannung)*Steilheit/2

Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter Formel

​LaTeX ​Gehen
Steilheit = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)
gm = k'n*WL*(Vgs-Vth)

Was ist die Verwendung der Transkonduktanz in MOSFET?

Die Transkonduktanz ist ein Ausdruck der Leistung eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors (FET). Im Allgemeinen ist die Verstärkung (Verstärkung), die es liefern kann, umso größer, je größer die Transkonduktanzzahl für ein Gerät ist, wenn alle anderen Faktoren konstant gehalten werden.

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