Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter Taschenrechner

✖Der Process Transconductance Parameter (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.ⓘ Transkonduktanzparameter verarbeiten [k'_n]			+10% -10%
✖Das Seitenverhältnis ist definiert als das Verhältnis der Breite des Transistorkanals zu seiner Länge. Es ist das Verhältnis der Breite des Tores zum Abstand zwischen der Quelleⓘ Seitenverhältnis [WL]			+10% -10%
✖Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird.ⓘ Gate-Source-Spannung [V_gs]			+10% -10%
✖Die Schwellenspannung, auch Gate-Schwellenspannung oder einfach Vth genannt, ist ein kritischer Parameter beim Betrieb von Feldeffekttransistoren, die grundlegende Komponenten moderner Elektronik sind.ⓘ Grenzspannung [V_th]			+10% -10%

✖Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.ⓘ Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter [g_m]

⎘ Kopie

👎

Formel

✖

Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter

Formel

g m = k' n \cdot WL \cdot (V gs - V th)

Beispiel

0.48 mS = 0.015 A/V² \cdot 0.1 \cdot (4 V - 3.68 V)

Taschenrechner

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen MOSFET Formel Pdf PDF Image

Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Steilheit = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)
g_m = k'_n*WL*(V_gs-V_th)
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
Transkonduktanzparameter verarbeiten - (Gemessen in Ampere pro Quadratvolt) - Der Process Transconductance Parameter (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.
Seitenverhältnis - Das Seitenverhältnis ist definiert als das Verhältnis der Breite des Transistorkanals zu seiner Länge. Es ist das Verhältnis der Breite des Tores zum Abstand zwischen der Quelle
Gate-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung, auch Gate-Schwellenspannung oder einfach Vth genannt, ist ein kritischer Parameter beim Betrieb von Feldeffekttransistoren, die grundlegende Komponenten moderner Elektronik sind.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Transkonduktanzparameter verarbeiten: 0.015 Ampere pro Quadratvolt --> 0.015 Ampere pro Quadratvolt Keine Konvertierung erforderlich
Seitenverhältnis: 0.1 --> Keine Konvertierung erforderlich
Gate-Source-Spannung: 4 Volt --> 4 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Grenzspannung: 3.68 Volt --> 3.68 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

g_m = k'_n*WL*(V_gs-V_th) --> 0.015*0.1*(4-3.68)

Auswerten ... ...

g_m = 0.00048

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.00048 Siemens -->0.48 Millisiemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.48 Millisiemens <-- Steilheit

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » MOSFET » Analoge Elektronik » Steilheit » Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter

Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

< Steilheit Taschenrechner

Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter

Gehen Steilheit = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)

Steilheit bei gegebenem Drain-Strom

Gehen Steilheit = sqrt(2*Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*Stromverbrauch)

Transkonduktanz unter Verwendung von Process Transconductance Parameter und Overdrive Voltage

Gehen Steilheit = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*Overdrive-Spannung

Strom mithilfe der Transkonduktanz ableiten

Gehen Stromverbrauch = (Overdrive-Spannung)*Steilheit/2

Mehr sehen >>

Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter Formel

Steilheit = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)
g_m = k'_n*WL*(V_gs-V_th)

Was ist die Verwendung der Transkonduktanz in MOSFET?

Die Transkonduktanz ist ein Ausdruck der Leistung eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors (FET). Im Allgemeinen ist die Verstärkung (Verstärkung), die es liefern kann, umso größer, je größer die Transkonduktanzzahl für ein Gerät ist, wenn alle anderen Faktoren konstant gehalten werden.

Zuhause

FREI PDFs

🔍 Suche

Kategorien

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!