KGV rechner

Parasitäre Gesamtkapazitätsquelle Taschenrechner

Maschinenbau Chemie Finanz Gesundheit Mehr >>

↳

Elektronik Bürgerlich Chemieingenieurwesen Elektrisch Mehr >>

⤿

VLSI-Herstellung Analoge Elektronik Analoge Kommunikation Antenne und Wellenausbreitung Mehr >>

⤿

VLSI-Materialoptimierung Analoges VLSI-Design

✖Die Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle ist definiert als die Kapazität zwischen der Verbindung des Körpers und der Source-Verbindung des MOSFET.ⓘ Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle [C_jbs]			+10% -10%
✖Der Bereich der Quelldiffusion ist definiert als die Nettobewegung von allem von einem Bereich höherer Konzentration zu einem Bereich niedrigerer Konzentration im Quelltor.ⓘ Bereich der Quellendiffusion [A_s]			+10% -10%
✖Die Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Seitenwand ist eine parasitäre Kapazität, die die Leistung des Schaltkreises beeinträchtigen kann.ⓘ Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Seitenwand [C_bsw]			+10% -10%
✖Der Seitenwandumfang der Quellendiffusion ist als Umfang der Quellendiffusion definiert, ohne die Kante unter dem Gate.ⓘ Seitenwandumfang der Quellendiffusion [P_s]			+10% -10%

✖Quellparasitäre Kapazität ist eine unvermeidbare und normalerweise unerwünschte Kapazität.ⓘ Parasitäre Gesamtkapazitätsquelle [C_sop]

⎘ Kopie

👎

Formel

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen Elektronik Formel Pdf PDF Image

Parasitäre Gesamtkapazitätsquelle Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Quelle Parasitäre Kapazität = (Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle*Bereich der Quellendiffusion)+(Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Seitenwand*Seitenwandumfang der Quellendiffusion)
C_sop = (C_jbs*A_s)+(C_bsw*P_s)
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Quelle Parasitäre Kapazität - (Gemessen in Farad pro Quadratmeter) - Quellparasitäre Kapazität ist eine unvermeidbare und normalerweise unerwünschte Kapazität.
Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle - (Gemessen in Farad pro Quadratmeter) - Die Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle ist definiert als die Kapazität zwischen der Verbindung des Körpers und der Source-Verbindung des MOSFET.
Bereich der Quellendiffusion - (Gemessen in Quadratmeter) - Der Bereich der Quelldiffusion ist definiert als die Nettobewegung von allem von einem Bereich höherer Konzentration zu einem Bereich niedrigerer Konzentration im Quelltor.
Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Seitenwand - (Gemessen in Farad pro Meter) - Die Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Seitenwand ist eine parasitäre Kapazität, die die Leistung des Schaltkreises beeinträchtigen kann.
Seitenwandumfang der Quellendiffusion - (Gemessen in Meter) - Der Seitenwandumfang der Quellendiffusion ist als Umfang der Quellendiffusion definiert, ohne die Kante unter dem Gate.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle: 76.46 Mikrofarad pro Quadratmillimeter --> 76.46 Farad pro Quadratmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Bereich der Quellendiffusion: 5479 Quadratmillimeter --> 0.005479 Quadratmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Seitenwand: 0.1391 Mikrofarad pro Millimeter --> 0.0001391 Farad pro Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Seitenwandumfang der Quellendiffusion: 301.64 Millimeter --> 0.30164 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

C_sop = (C_jbs*A_s)+(C_bsw*P_s) --> (76.46*0.005479)+(0.0001391*0.30164)

Auswerten ... ...

C_sop = 0.418966298124

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.418966298124 Farad pro Quadratmeter -->0.418966298124 Mikrofarad pro Quadratmillimeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.418966298124 ≈ 0.418966 Mikrofarad pro Quadratmillimeter <-- Quelle Parasitäre Kapazität

(Berechnung in 00.017 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » VLSI-Herstellung » VLSI-Materialoptimierung » Parasitäre Gesamtkapazitätsquelle

Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< VLSI-Materialoptimierung Taschenrechner

Body-Effect-Koeffizient

LaTeX Gehen Körpereffektkoeffizient = modulus((Grenzspannung-Schwellenspannung DIBL)/(sqrt(Oberflächenpotential+(Potenzialdifferenz des Quellkörpers))-sqrt(Oberflächenpotential)))

DIBL-Koeffizient

LaTeX Gehen DIBL-Koeffizient = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/Drain-to-Source-Potenzial

Kanalladung

LaTeX Gehen Kanalgebühr = Gate-Kapazität*(Gate-zu-Kanal-Spannung-Grenzspannung)

Kritische Spannung

LaTeX Gehen Kritische Spannung = Kritisches elektrisches Feld*Elektrisches Feld über die Kanallänge

Mehr sehen >>

Parasitäre Gesamtkapazitätsquelle Formel

LaTeX Gehen

Was ist das MOS-Diffusionskapazitätsmodell?

Der pn-Übergang zwischen der Source-Diffusion und dem Körper trägt zur parasitären Kapazität über dem Verarmungsbereich bei. Die Kapazität hängt sowohl von der Fläche AS als auch dem Seitenwandumfang PS des Source-Diffusionsgebiets ab. Die Geometrie ist in Abbildung 2.12 dargestellt. Die Fläche ist AS = WD. Der Umfang ist PS = 2W 2D. Von diesem Umfang grenzt W an den Kanal und das verbleibende W 2D nicht.

Zuhause

FREI PDFs

🔍 Suche

Kategorien

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!