Gelieferte Gesamtleistung in NMOS Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Stromversorgung = Versorgungsspannung*(Drainstrom im NMOS+Aktuell)
PS = Vdd*(Id+I)
Diese formel verwendet 4 Variablen
Verwendete Variablen
Stromversorgung - (Gemessen in Watt) - Stromversorgung wird in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, von der Stromversorgung kleiner elektronischer Geräte bis hin zur Stromversorgung großer Industriemaschinen und -systeme.
Versorgungsspannung - (Gemessen in Volt) - Die Versorgungsspannung ist der Spannungspegel, mit dem ein elektronisches Gerät versorgt wird, und es handelt sich um einen kritischen Parameter, der die Leistung und Zuverlässigkeit des Geräts beeinflusst.
Drainstrom im NMOS - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom im NMOS ist der elektrische Strom, der vom Drain zur Source eines Feldeffekttransistors (FET) oder eines Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) fließt.
Aktuell - (Gemessen in Ampere) - Strom ist der Effektivwert der Ströme, die durch n-Typ-MOSFETs in einer kombinierten Zustandsschaltung fließen.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Versorgungsspannung: 6 Volt --> 6 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Drainstrom im NMOS: 239 Milliampere --> 0.239 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Aktuell: 5 Milliampere --> 0.005 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
PS = Vdd*(Id+I) --> 6*(0.239+0.005)
Auswerten ... ...
PS = 1.464
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
1.464 Watt -->1464 Milliwatt (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
1464 Milliwatt <-- Stromversorgung
(Berechnung in 00.010 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Anshika Arya
Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur
Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

N-Kanal-Verbesserung Taschenrechner

Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS
​ LaTeX ​ Gehen Drainstrom im NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*((Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Drain-Quellenspannung-1/2*(Drain-Quellenspannung)^2)
Stromeintritt in den Drain-Anschluss des NMOS bei gegebener Gate-Source-Spannung
​ LaTeX ​ Gehen Drainstrom im NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*((Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Drain-Quellenspannung-1/2*Drain-Quellenspannung^2)
NMOS als linearer Widerstand
​ LaTeX ​ Gehen Linearer Widerstand = Länge des Kanals/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Breite des Kanals*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung))
Elektronendriftgeschwindigkeit des Kanals im NMOS-Transistor
​ LaTeX ​ Gehen Elektronendriftgeschwindigkeit = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Elektrisches Feld über die Länge des Kanals

Gelieferte Gesamtleistung in NMOS Formel

​LaTeX ​Gehen
Stromversorgung = Versorgungsspannung*(Drainstrom im NMOS+Aktuell)
PS = Vdd*(Id+I)

Was ist Verlustleistung?

Die Definition der Verlustleistung ist der Prozess, durch den ein elektronisches oder elektrisches Gerät Wärme (Energieverlust oder Abfall) als unerwünschte Ableitung seiner primären Wirkung erzeugt. Wie bei Zentraleinheiten ist die Verlustleistung ein Hauptanliegen in der Computerarchitektur. Darüber hinaus wird die Verlustleistung in Widerständen als ein natürlich vorkommendes Phänomen angesehen. Es bleibt die Tatsache, dass alle Widerstände, die Teil eines Stromkreises sind und einen Spannungsabfall aufweisen, elektrische Energie abführen. Darüber hinaus wandelt sich diese elektrische Leistung in Wärmeenergie um, und daher haben alle Widerstände eine (Leistungs-) Nennleistung. Die Nennleistung eines Widerstands ist auch eine Klassifizierung, die die maximale Leistung parametrisiert, die er verbrauchen kann, bevor er einen kritischen Fehler erreicht.

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