Gesamte Verlustleistung in NMOS Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Verlustleistung = Drainstrom im NMOS^2*ON-Kanalwiderstand
PD = Id^2*Ron
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Verlustleistung - (Gemessen in Watt) - Unter Verlustleistung versteht man die Energie, die in Wärme umgewandelt wird und in einem Stromkreis oder System aufgrund von Widerstand, Reibung oder anderen Formen von Energieverlust verloren geht.
Drainstrom im NMOS - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom im NMOS ist der elektrische Strom, der vom Drain zur Source eines Feldeffekttransistors (FET) oder eines Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) fließt.
ON-Kanalwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der EIN-Kanalwiderstand ist der Kanal-Ein-Widerstandswert zwischen Drain und Source für jede Standard-MOSFET-Schaltung.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Drainstrom im NMOS: 239 Milliampere --> 0.239 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ON-Kanalwiderstand: 0.02 Kiloohm --> 20 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
PD = Id^2*Ron --> 0.239^2*20
Auswerten ... ...
PD = 1.14242
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
1.14242 Watt -->1142.42 Milliwatt (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
1142.42 Milliwatt <-- Verlustleistung
(Berechnung in 00.006 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

N-Kanal-Verbesserung Taschenrechner

Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS
​ LaTeX ​ Gehen Drainstrom im NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*((Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Drain-Quellenspannung-1/2*(Drain-Quellenspannung)^2)
Stromeintritt in den Drain-Anschluss des NMOS bei gegebener Gate-Source-Spannung
​ LaTeX ​ Gehen Drainstrom im NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*((Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Drain-Quellenspannung-1/2*Drain-Quellenspannung^2)
NMOS als linearer Widerstand
​ LaTeX ​ Gehen Linearer Widerstand = Länge des Kanals/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Breite des Kanals*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung))
Elektronendriftgeschwindigkeit des Kanals im NMOS-Transistor
​ LaTeX ​ Gehen Elektronendriftgeschwindigkeit = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Elektrisches Feld über die Länge des Kanals

Gesamte Verlustleistung in NMOS Formel

​LaTeX ​Gehen
Verlustleistung = Drainstrom im NMOS^2*ON-Kanalwiderstand
PD = Id^2*Ron

Was ist Verlustleistung?

Die Definition der Verlustleistung ist der Prozess, durch den ein elektronisches oder elektrisches Gerät Wärme (Energieverlust oder Abfall) als unerwünschte Ableitung seiner primären Wirkung erzeugt. Wie bei Zentraleinheiten ist die Verlustleistung ein Hauptanliegen in der Computerarchitektur. Darüber hinaus wird die Verlustleistung in Widerständen als ein natürlich vorkommendes Phänomen angesehen. Es bleibt die Tatsache, dass alle Widerstände, die Teil eines Stromkreises sind und einen Spannungsabfall aufweisen, elektrische Energie abführen. Darüber hinaus wandelt sich diese elektrische Leistung in Wärmeenergie um, und daher haben alle Widerstände eine (Leistungs-) Nennleistung. Die Nennleistung eines Widerstands ist auch eine Klassifizierung, die die maximale Leistung parametrisiert, die er verbrauchen kann, bevor er einen kritischen Fehler erreicht.

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