Gesamte momentane Gate-zu-Source-Spannung Taschenrechner

✖Ein kleines Signal ist ein Wechselstromsignal (technischer ausgedrückt ein Signal mit einem Mittelwert von Null), das einem Vorspannungssignal überlagert ist (oder einem konstanten Gleichstromsignal überlagert ist).ⓘ Kleines Signal [V_ss]			+10% -10%
✖Spannung über Oxid aufgrund der Ladung an der Oxid-Halbleiter-Grenzfläche und der dritte Term aufgrund der Ladungsdichte im Oxid.ⓘ Spannung über Oxid [V_ox]			+10% -10%

✖Die Gate-Source-Spannung des Transistors ist die Spannung, die über den Gate-Source-Anschluss des Transistors fällt.ⓘ Gesamte momentane Gate-zu-Source-Spannung [V_gs]

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Gesamte momentane Gate-zu-Source-Spannung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Gate-Source-Spannung = Kleines Signal+Spannung über Oxid
V_gs = V_ss+V_ox
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Gate-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-Source-Spannung des Transistors ist die Spannung, die über den Gate-Source-Anschluss des Transistors fällt.
Kleines Signal - (Gemessen in Volt) - Ein kleines Signal ist ein Wechselstromsignal (technischer ausgedrückt ein Signal mit einem Mittelwert von Null), das einem Vorspannungssignal überlagert ist (oder einem konstanten Gleichstromsignal überlagert ist).
Spannung über Oxid - (Gemessen in Volt) - Spannung über Oxid aufgrund der Ladung an der Oxid-Halbleiter-Grenzfläche und der dritte Term aufgrund der Ladungsdichte im Oxid.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Kleines Signal: 3.2 Volt --> 3.2 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Spannung über Oxid: 1.5 Volt --> 1.5 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_gs = V_ss+V_ox --> 3.2+1.5

Auswerten ... ...

V_gs = 4.7

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

4.7 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

4.7 Volt <-- Gate-Source-Spannung

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Prahalad Singh

Jaipur Engineering College und Forschungszentrum (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner verifiziert!

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Einzelne Komponente der Drain-Spannung bei gegebener Transkonduktanz

LaTeX Gehen Gesamte momentane Drain-Spannung = -Steilheit*Eingangsspannung*Lastwiderstand

Spannung zwischen Gate und Source

LaTeX Gehen Gate-Source-Spannung = Eingangsspannung/(1+Steilheit*Widerstand)

Einzelne Komponente der Drain-Spannung

LaTeX Gehen Gesamte momentane Drain-Spannung = (-Änderung des Drainstroms*Lastwiderstand)

Gesamte momentane Gate-zu-Source-Spannung

LaTeX Gehen Gate-Source-Spannung = Kleines Signal+Spannung über Oxid

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Gesamte momentane Gate-zu-Source-Spannung Formel

LaTeX Gehen

Gate-Source-Spannung = Kleines Signal+Spannung über Oxid
V_gs = V_ss+V_ox

Was ist MOSFET und seine Anwendung?

Es dient zum Schalten oder Verstärken von Signalen. Die Fähigkeit, die Leitfähigkeit mit der Menge der angelegten Spannung zu ändern, kann zum Verstärken oder Schalten elektronischer Signale verwendet werden. MOSFETs sind heute in digitalen und analogen Schaltungen noch häufiger als BJTs (Bipolartransistoren).

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