Gesamtenergie in CMOS Taschenrechner

✖Unter Schaltenergie versteht man im CMOS die quantitative Eigenschaft, die auf ein Objekt übertragen werden muss, um beim Schalten des Stromkreises Arbeit an dem Objekt auszuführen oder es zu erwärmen.ⓘ Schaltenergie im CMOS [E_s]			+10% -10%
✖Unter Leckageenergie versteht man in CMOS ein Energieleck, wenn wir Energie auf eine Weise verbrauchen, die ein Energiedefizit verursacht.ⓘ Leckageenergie im CMOS [E_leak]			+10% -10%

✖Unter Gesamtenergie im CMOS versteht man die quantitative Eigenschaft, die auf ein Objekt übertragen werden muss, um Arbeit an dem Objekt im CMOS auszuführen oder es zu erwärmen.ⓘ Gesamtenergie in CMOS [E_t]

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Formel

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Gesamtenergie in CMOS

Formel

E t = E s + E leak

Beispiel

42 pJ = 35 pJ + 7 pJ

Taschenrechner

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Gesamtenergie in CMOS Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Gesamtenergie im CMOS = Schaltenergie im CMOS+Leckageenergie im CMOS
E_t = E_s+E_leak
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Gesamtenergie im CMOS - (Gemessen in Joule) - Unter Gesamtenergie im CMOS versteht man die quantitative Eigenschaft, die auf ein Objekt übertragen werden muss, um Arbeit an dem Objekt im CMOS auszuführen oder es zu erwärmen.
Schaltenergie im CMOS - (Gemessen in Joule) - Unter Schaltenergie versteht man im CMOS die quantitative Eigenschaft, die auf ein Objekt übertragen werden muss, um beim Schalten des Stromkreises Arbeit an dem Objekt auszuführen oder es zu erwärmen.
Leckageenergie im CMOS - (Gemessen in Joule) - Unter Leckageenergie versteht man in CMOS ein Energieleck, wenn wir Energie auf eine Weise verbrauchen, die ein Energiedefizit verursacht.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Schaltenergie im CMOS: 35 Picojoule --> 3.5E-11 Joule (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Leckageenergie im CMOS: 7 Picojoule --> 7E-12 Joule (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

E_t = E_s+E_leak --> 3.5E-11+7E-12

Auswerten ... ...

E_t = 4.2E-11

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

4.2E-11 Joule -->42 Picojoule (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

42 Picojoule <-- Gesamtenergie im CMOS

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Aktivitätsfaktor

Gehen Aktivitätsfaktor = Schaltleistung/(Kapazität*Basiskollektorspannung^2*Frequenz)

Schaltleistung

Gehen Schaltleistung = Aktivitätsfaktor*(Kapazität*Basiskollektorspannung^2*Frequenz)

Dynamische Leistung im CMOS

Gehen Dynamische Kraft = Kurzschlussstrom+Schaltleistung

Kurzschlussstrom im CMOS

Gehen Kurzschlussstrom = Dynamische Kraft-Schaltleistung

Mehr sehen >>

Gesamtenergie in CMOS Formel

Gesamtenergie im CMOS = Schaltenergie im CMOS+Leckageenergie im CMOS
E_t = E_s+E_leak

Wie wird Energie in CMOS berechnet?

Um die Energie zu berechnen, sei angenommen, dass eine Schaltung N Gates auf dem kritischen Pfad, eine effektive Gesamtkapazität Ceff und eine effektive Gesamtbreite Weff des leckenden Transistors hat. Die Verzögerung eines unterschwelligen Gate-Betriebs mit einer Last Cg. Ein intuitiverer Ansatz besteht darin, den minimalen Energiepunkt grafisch zu betrachten.

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