✖Ladungseindringung vom N-Typ bezieht sich auf das Phänomen, bei dem zusätzliche Elektronen von Dotierstoffatomen, typischerweise Phosphor oder Arsen, in das Kristallgitter des Halbleitermaterials eindringen.ⓘ Ladungsdurchdringung N-Typ [xno] | | | +10% -10% |
✖Der Übergangsbereich ist der Grenz- oder Grenzflächenbereich zwischen zwei Arten von Halbleitermaterialien in einer pn-Diode.ⓘ Kreuzungsbereich [Aj] | | | +10% -10% |
✖Die Akzeptorkonzentration ist die Konzentration eines Akzeptor- oder Dotierstoffatoms, das beim Einsetzen in ein Halbleitergitter einen p-Typ-Bereich bildet.ⓘ Akzeptorkonzentration [Na] | | | +10% -10% |