Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet Taschenrechner

✖Unter Übergangskapazität versteht man die Kapazität, die aus dem Verarmungsbereich zwischen den Source/Drain-Anschlüssen und dem Substrat entsteht.ⓘ Sperrschichtkapazität [C_j]			+10% -10%
✖Der Transkonduktanz-Prozessparameter ist eine gerätespezifische Konstante, die die Fähigkeit des Transistors charakterisiert, eine Änderung der Gate-Spannung in eine Änderung des Ausgangsstroms umzuwandeln.ⓘ Transkonduktanz-Prozessparameter [k_n]			+10% -10%
✖Die Eingangsspannung ist die elektrische Potenzialdifferenz, die an den Eingangsanschlüssen einer Komponente oder eines Systems anliegt.ⓘ Eingangsspannung [V_i]			+10% -10%
✖Die Schwellenspannung ist die minimale Gate-Source-Spannung, die in einem MOSFET erforderlich ist, um ihn „einzuschalten“ und einen signifikanten Stromfluss zu ermöglichen.ⓘ Grenzspannung [V_T]			+10% -10%
✖Unter Anfangsspannung versteht man die Spannung, die an einem bestimmten Punkt in einem Stromkreis zu Beginn eines bestimmten Vorgangs oder unter bestimmten Bedingungen anliegt.ⓘ Anfangsspannung [V₁]			+10% -10%
✖Unter Endspannung versteht man den Spannungspegel, der am Ende eines bestimmten Prozesses oder Ereignisses erreicht oder gemessen wird.ⓘ Endspannung [V₂]			+10% -10%

✖Der lineare Bereich der Zeitverzögerung ist definiert als die Verzögerung, die durch das Laden und Entladen von an den NMOS angeschlossenen Kondensatoren während Schaltereignissen entsteht.ⓘ Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet [t_delay]

⎘ Kopie

👎

Formel

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen MOSFET Formel Pdf PDF Image

Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Linearer Bereich in der Zeitverzögerung = -2*Sperrschichtkapazität*int(1/(Transkonduktanz-Prozessparameter*(2*(Eingangsspannung-Grenzspannung)*x-x^2)),x,Anfangsspannung,Endspannung)
t_delay = -2*C_j*int(1/(k_n*(2*(V_i-V_T)*x-x^2)),x,V₁,V₂)
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 7 Variablen

Verwendete Funktionen

int - Mit dem bestimmten Integral kann die Nettofläche mit Vorzeichen berechnet werden. Dabei handelt es sich um die Fläche oberhalb der x-Achse abzüglich der Fläche unterhalb der x-Achse., int(expr, arg, from, to)

Verwendete Variablen

Linearer Bereich in der Zeitverzögerung - (Gemessen in Zweite) - Der lineare Bereich der Zeitverzögerung ist definiert als die Verzögerung, die durch das Laden und Entladen von an den NMOS angeschlossenen Kondensatoren während Schaltereignissen entsteht.
Sperrschichtkapazität - (Gemessen in Farad) - Unter Übergangskapazität versteht man die Kapazität, die aus dem Verarmungsbereich zwischen den Source/Drain-Anschlüssen und dem Substrat entsteht.
Transkonduktanz-Prozessparameter - (Gemessen in Ampere pro Quadratvolt) - Der Transkonduktanz-Prozessparameter ist eine gerätespezifische Konstante, die die Fähigkeit des Transistors charakterisiert, eine Änderung der Gate-Spannung in eine Änderung des Ausgangsstroms umzuwandeln.
Eingangsspannung - (Gemessen in Volt) - Die Eingangsspannung ist die elektrische Potenzialdifferenz, die an den Eingangsanschlüssen einer Komponente oder eines Systems anliegt.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung ist die minimale Gate-Source-Spannung, die in einem MOSFET erforderlich ist, um ihn „einzuschalten“ und einen signifikanten Stromfluss zu ermöglichen.
Anfangsspannung - (Gemessen in Volt) - Unter Anfangsspannung versteht man die Spannung, die an einem bestimmten Punkt in einem Stromkreis zu Beginn eines bestimmten Vorgangs oder unter bestimmten Bedingungen anliegt.
Endspannung - (Gemessen in Volt) - Unter Endspannung versteht man den Spannungspegel, der am Ende eines bestimmten Prozesses oder Ereignisses erreicht oder gemessen wird.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Sperrschichtkapazität: 95009 Farad --> 95009 Farad Keine Konvertierung erforderlich
Transkonduktanz-Prozessparameter: 4.553 Ampere pro Quadratvolt --> 4.553 Ampere pro Quadratvolt Keine Konvertierung erforderlich
Eingangsspannung: 2.25 Volt --> 2.25 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Grenzspannung: 5.91 Volt --> 5.91 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Anfangsspannung: 5.42 Nanovolt --> 5.42E-09 Volt (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Endspannung: 6.135 Nanovolt --> 6.135E-09 Volt (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

t_delay = -2*C_j*int(1/(k_n*(2*(V_i-V_T)*x-x^2)),x,V₁,V₂) --> -2*95009*int(1/(4.553*(2*(2.25-5.91)*x-x^2)),x,5.42E-09,6.135E-09)

Auswerten ... ...

t_delay = 706.520454377221

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

706.520454377221 Zweite --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

706.520454377221 ≈ 706.5205 Zweite <-- Linearer Bereich in der Zeitverzögerung

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » MOSFET » Analoge Elektronik » MOS-Transistor » Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet

Credits

Erstellt von Vignesh Naidu

Vellore Institut für Technologie (VIT), Vellore, Tamil Nadu

Vignesh Naidu hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Dipanjona Mallick

Heritage Institute of Technology (HITK), Kalkutta

Dipanjona Mallick hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

< MOS-Transistor Taschenrechner

Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung

LaTeX Gehen Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung = -(2*sqrt(Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen)/(Endspannung-Anfangsspannung)*(sqrt(Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen-Endspannung)-sqrt(Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen-Anfangsspannung)))

Fermipotential für P-Typ

LaTeX Gehen Fermipotential für P-Typ = ([BoltZ]*Absolute Temperatur)/[Charge-e]*ln(Intrinsische Trägerkonzentration/Dopingkonzentration des Akzeptors)

Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität

LaTeX Gehen Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität = Umfang der Seitenwand*Seitenwandübergangskapazität*Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung

Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung pro Längeneinheit

LaTeX Gehen Seitenwandübergangskapazität = Null-Bias-Seitenwandübergangspotential*Tiefe der Seitenwand

Mehr sehen >>