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Schwellenspannung, wenn die Quelle auf Körperpotential liegt Taschenrechner

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VLSI-Materialoptimierung Analoges VLSI-Design

✖Der DIBL-Koeffizient in einem CMOS-Gerät liegt typischerweise in der Größenordnung von 0,1.ⓘ DIBL-Koeffizient [η]			+10% -10%
✖Drain-Source-Potenzial ist das Potenzial zwischen Drain und Source.ⓘ Drain-to-Source-Potenzial [V_ds]			+10% -10%
✖Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.ⓘ Grenzspannung [V_t]			+10% -10%

✖Die Schwellenspannung dibl ist definiert als die Mindestspannung, die der Source-Übergang des Body-Potentials benötigt, wenn die Source auf Body-Potential liegt.ⓘ Schwellenspannung, wenn die Quelle auf Körperpotential liegt [V_t0]

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Schwellenspannung, wenn die Quelle auf Körperpotential liegt Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Schwellenspannung DIBL = DIBL-Koeffizient*Drain-to-Source-Potenzial+Grenzspannung
V_t0 = η*V_ds+V_t
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Schwellenspannung DIBL - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung dibl ist definiert als die Mindestspannung, die der Source-Übergang des Body-Potentials benötigt, wenn die Source auf Body-Potential liegt.
DIBL-Koeffizient - Der DIBL-Koeffizient in einem CMOS-Gerät liegt typischerweise in der Größenordnung von 0,1.
Drain-to-Source-Potenzial - (Gemessen in Volt) - Drain-Source-Potenzial ist das Potenzial zwischen Drain und Source.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

DIBL-Koeffizient: 0.2 --> Keine Konvertierung erforderlich
Drain-to-Source-Potenzial: 1.45 Volt --> 1.45 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Grenzspannung: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_t0 = η*V_ds+V_t --> 0.2*1.45+0.3

Auswerten ... ...

V_t0 = 0.59

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.59 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.59 Volt <-- Schwellenspannung DIBL

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Body-Effect-Koeffizient

LaTeX Gehen Körpereffektkoeffizient = modulus((Grenzspannung-Schwellenspannung DIBL)/(sqrt(Oberflächenpotential+(Potenzialdifferenz des Quellkörpers))-sqrt(Oberflächenpotential)))

DIBL-Koeffizient

LaTeX Gehen DIBL-Koeffizient = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/Drain-to-Source-Potenzial

Kanalladung

LaTeX Gehen Kanalgebühr = Gate-Kapazität*(Gate-zu-Kanal-Spannung-Grenzspannung)

Kritische Spannung

LaTeX Gehen Kritische Spannung = Kritisches elektrisches Feld*Elektrisches Feld über die Kanallänge

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Schwellenspannung, wenn die Quelle auf Körperpotential liegt Formel

LaTeX Gehen

Schwellenspannung DIBL = DIBL-Koeffizient*Drain-to-Source-Potenzial+Grenzspannung
V_t0 = η*V_ds+V_t

Was ist Drain-Induced Barrier Lowering (DIBL)?

Die Drain-Spannung Vds erzeugt ein elektrisches Feld, das die Schwellenspannung beeinflusst. Dieser Effekt der Drain-induzierten Barrieresenkung (DIBL) ist bei Kurzkanaltransistoren besonders ausgeprägt. Drain-induziertes Absenken der Barriere bewirkt, dass Ids mit Vds in Sättigung zunimmt, ähnlich wie es die Kanallängenmodulation tut. Auch dies ist ein Fluch für analoges Design, aber unbedeutend für die meisten digitalen Schaltungen. Noch wichtiger ist, dass DIBL den unterschwelligen Leckstrom bei hohen Vds erhöht.

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