Was ist Drain-Induced Barrier Lowering (DIBL)?
Die Drain-Spannung Vds erzeugt ein elektrisches Feld, das die Schwellenspannung beeinflusst. Dieser Effekt der Drain-induzierten Barrieresenkung (DIBL) ist bei Kurzkanaltransistoren besonders ausgeprägt. Drain-induziertes Absenken der Barriere bewirkt, dass Ids mit Vds in Sättigung zunimmt, ähnlich wie es die Kanallängenmodulation tut. Auch dies ist ein Fluch für analoges Design, aber unbedeutend für die meisten digitalen Schaltungen. Noch wichtiger ist, dass DIBL den unterschwelligen Leckstrom bei hohen Vds erhöht.