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VLSI-Materialoptimierung Analoges VLSI-Design

✖Die Gate-zu-Kanal-Spannung ist definiert als der Drain-Source-Einschaltwiderstand, der größer als der Nennwert ist, wenn die Gate-Spannung in der Nähe der Schwellenspannung liegt.ⓘ Gate-zu-Kanal-Spannung [V_gc]			+10% -10%
✖Kanalladung ist definiert als die Kraft, die eine Materie erfährt, wenn sie in ein elektromagnetisches Feld gebracht wird.ⓘ Kanalgebühr [Q_ch]			+10% -10%
✖Die Gate-Kapazität ist die Kapazität des Gate-Anschlusses eines Feldeffekttransistors.ⓘ Gate-Kapazität [C_g]			+10% -10%

✖Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.ⓘ Grenzspannung [V_t]

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Grenzspannung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Grenzspannung = Gate-zu-Kanal-Spannung-(Kanalgebühr/Gate-Kapazität)
V_t = V_gc-(Q_ch/C_g)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.
Gate-zu-Kanal-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-zu-Kanal-Spannung ist definiert als der Drain-Source-Einschaltwiderstand, der größer als der Nennwert ist, wenn die Gate-Spannung in der Nähe der Schwellenspannung liegt.
Kanalgebühr - (Gemessen in Coulomb) - Kanalladung ist definiert als die Kraft, die eine Materie erfährt, wenn sie in ein elektromagnetisches Feld gebracht wird.
Gate-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Kapazität ist die Kapazität des Gate-Anschlusses eines Feldeffekttransistors.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Gate-zu-Kanal-Spannung: 7.011 Volt --> 7.011 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Kanalgebühr: 0.4 Millicoulomb --> 0.0004 Coulomb (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Gate-Kapazität: 59.61 Mikrofarad --> 5.961E-05 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_t = V_gc-(Q_ch/C_g) --> 7.011-(0.0004/5.961E-05)

Auswerten ... ...

V_t = 0.300716490521724

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.300716490521724 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.300716490521724 ≈ 0.300716 Volt <-- Grenzspannung

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Body-Effect-Koeffizient

LaTeX Gehen Körpereffektkoeffizient = modulus((Grenzspannung-Schwellenspannung DIBL)/(sqrt(Oberflächenpotential+(Potenzialdifferenz des Quellkörpers))-sqrt(Oberflächenpotential)))

DIBL-Koeffizient

LaTeX Gehen DIBL-Koeffizient = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/Drain-to-Source-Potenzial

Kanalladung

LaTeX Gehen Kanalgebühr = Gate-Kapazität*(Gate-zu-Kanal-Spannung-Grenzspannung)

Kritische Spannung

LaTeX Gehen Kritische Spannung = Kritisches elektrisches Feld*Elektrisches Feld über die Kanallänge

Mehr sehen >>

Grenzspannung Formel

LaTeX Gehen

Grenzspannung = Gate-zu-Kanal-Spannung-(Kanalgebühr/Gate-Kapazität)
V_t = V_gc-(Q_ch/C_g)

Was ist ein Langkanalmodell?

Das Langkanalmodell bezieht sich auf eine Näherung, die zum Analysieren und Entwerfen elektronischer Geräte mit relativ großen Kanallängen, typischerweise im Mikrometerbereich, verwendet wird. Dieses Modell vereinfacht das Geräteverhalten durch Vernachlässigung von Kurzkanaleffekten und eignet sich daher für den ersten Entwurf und das Verständnis der grundlegenden Transistoreigenschaften in VLSI-Schaltungen.

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