Schwellenspannung, wenn MOSFET als Verstärker fungiert Taschenrechner

✖Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird.ⓘ Gate-Source-Spannung [V_gs]			+10% -10%
✖Die effektive Spannung in einem MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) ist die Spannung, die das Verhalten des Geräts bestimmt. Sie wird auch als Gate-Source-Spannung bezeichnet.ⓘ Effektive Spannung [V_eff]			+10% -10%

✖Die Schwellenspannung, auch bekannt als Gate-Schwellenspannung oder einfach Vth, ist ein kritischer Parameter beim Betrieb von Feldeffekttransistoren, die grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind.ⓘ Schwellenspannung, wenn MOSFET als Verstärker fungiert [V_th]

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Schwellenspannung, wenn MOSFET als Verstärker fungiert Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Grenzspannung = Gate-Source-Spannung-Effektive Spannung
V_th = V_gs-V_eff
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung, auch bekannt als Gate-Schwellenspannung oder einfach Vth, ist ein kritischer Parameter beim Betrieb von Feldeffekttransistoren, die grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind.
Gate-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird.
Effektive Spannung - (Gemessen in Volt) - Die effektive Spannung in einem MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) ist die Spannung, die das Verhalten des Geräts bestimmt. Sie wird auch als Gate-Source-Spannung bezeichnet.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Gate-Source-Spannung: 4 Volt --> 4 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Effektive Spannung: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_th = V_gs-V_eff --> 4-1.7

Auswerten ... ...

V_th = 2.3

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

2.3 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

2.3 Volt <-- Grenzspannung

(Berechnung in 00.018 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Prahalad Singh

Jaipur Engineering College und Forschungszentrum (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner verifiziert!

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Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET bei Gleichtaktsignal

LaTeX Gehen Drain-Spannung Q1 = -Ausgangswiderstand*(Steilheit*Gleichtakt-Eingangssignal)/(1+(2*Steilheit*Ausgangswiderstand))

Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET bei Gleichtaktsignal

LaTeX Gehen Drain-Spannung Q2 = -(Ausgangswiderstand/((1/Steilheit)+2*Ausgangswiderstand))*Gleichtakt-Eingangssignal

Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET

LaTeX Gehen Drain-Spannung Q1 = -(Ausgangswiderstand*Gesamtstrom)

Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET

LaTeX Gehen Drain-Spannung Q2 = -(Ausgangswiderstand*Gesamtstrom)

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Schwellenspannung, wenn MOSFET als Verstärker fungiert Formel

LaTeX Gehen

Grenzspannung = Gate-Source-Spannung-Effektive Spannung
V_th = V_gs-V_eff

Wie wirkt der MOSFET als Verstärker?

Eine kleine Änderung der Gate-Spannung erzeugt eine große Änderung des Drain-Stroms wie beim JFET. Diese Tatsache macht den MOSFET in der Lage, die Stärke eines schwachen Signals zu erhöhen; somit als Verstärker wirkend. Während der positiven Halbwelle des Signals steigt die positive Spannung am Gate an und erzeugt den Verbesserungsmodus.

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