Thermische Spannung von CMOS Taschenrechner

✖Das eingebaute Potenzial ist das Potenzial innerhalb des MOSFET.ⓘ Eingebautes Potenzial [ψ_o]			+10% -10%
✖Die Akzeptorkonzentration ist die Konzentration der Löcher im Akzeptorzustand.ⓘ Akzeptorkonzentration [N_a]			+10% -10%
✖Die Donorkonzentration ist die Konzentration der Elektronen im Donorzustand.ⓘ Spenderkonzentration [N_d]			+10% -10%
✖Die intrinsische Elektronenkonzentration ist definiert als die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband in intrinsischem Material.ⓘ Intrinsische Elektronenkonzentration [n_i]			+10% -10%

✖Die thermische Spannung ist die Spannung, die im pn-Übergang erzeugt wird.ⓘ Thermische Spannung von CMOS [V_t]

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Thermische Spannung von CMOS Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Thermische Spannung = Eingebautes Potenzial/ln((Akzeptorkonzentration*Spenderkonzentration)/(Intrinsische Elektronenkonzentration^2))
V_t = ψ_o/ln((N_a*N_d)/(n_i^2))
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 5 Variablen

Verwendete Funktionen

ln - Der natürliche Logarithmus, auch Logarithmus zur Basis e genannt, ist die Umkehrfunktion der natürlichen Exponentialfunktion., ln(Number)

Verwendete Variablen

Thermische Spannung - (Gemessen in Volt) - Die thermische Spannung ist die Spannung, die im pn-Übergang erzeugt wird.
Eingebautes Potenzial - (Gemessen in Volt) - Das eingebaute Potenzial ist das Potenzial innerhalb des MOSFET.
Akzeptorkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Akzeptorkonzentration ist die Konzentration der Löcher im Akzeptorzustand.
Spenderkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Donorkonzentration ist die Konzentration der Elektronen im Donorzustand.
Intrinsische Elektronenkonzentration - Die intrinsische Elektronenkonzentration ist definiert als die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband in intrinsischem Material.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Eingebautes Potenzial: 18.8 Volt --> 18.8 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Akzeptorkonzentration: 1100 1 pro Kubikmeter --> 1100 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Spenderkonzentration: 190000000000000 1 pro Kubikmeter --> 190000000000000 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Intrinsische Elektronenkonzentration: 17 --> Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_t = ψ_o/ln((N_a*N_d)/(n_i^2)) --> 18.8/ln((1100*190000000000000)/(17^2))

Auswerten ... ...

V_t = 0.549471683639064

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.549471683639064 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.549471683639064 ≈ 0.549472 Volt <-- Thermische Spannung

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Eingebautes Potenzial

LaTeX Gehen Eingebautes Potenzial = Thermische Spannung*ln((Akzeptorkonzentration*Spenderkonzentration)/(Intrinsische Elektronenkonzentration^2))

Kapazität Onpath

LaTeX Gehen Kapazität Onpath = Gesamtkapazität in der Bühne-Kapazität Offpath

Änderung der Frequenzuhr

LaTeX Gehen Änderung der Taktfrequenz = VCO-Verstärkung*VCO-Steuerspannung

Statischer Strom

LaTeX Gehen Statischer Strom = Statische Leistung/Basiskollektorspannung

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Thermische Spannung von CMOS Formel

LaTeX Gehen

Thermische Spannung = Eingebautes Potenzial/ln((Akzeptorkonzentration*Spenderkonzentration)/(Intrinsische Elektronenkonzentration^2))
V_t = ψ_o/ln((N_a*N_d)/(n_i^2))

Was ist Antrieb?

„Antrieb“ bezieht sich in der digitalen Elektronik auf die Fähigkeit eines Logikgatters oder einer Logikschaltung, Strom an seinen Ausgang zu liefern. Dies beeinflusst, wie schnell die Ausgangsspannung zwischen Logikpegeln wechselt, und spielt eine entscheidende Rolle bei der Bestimmung der Gesamtleistung digitaler Systeme.

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