✖Die statische CMOS-Leistung ist definiert als der Leckstrom aufgrund des sehr geringen statischen Stromverbrauchs in CMOS-Geräten.ⓘ Statische CMOS-Leistung [Pst] | | | +10% -10% |
✖Die Basiskollektorspannung ist ein entscheidender Parameter bei der Transistorvorspannung. Es bezieht sich auf die Spannungsdifferenz zwischen den Basis- und Kollektoranschlüssen des Transistors, wenn dieser sich in seinem aktiven Zustand befindet.ⓘ Basiskollektorspannung [Vbc] | | | +10% -10% |
✖Als Gate-Strom wird definiert, wenn zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen keine Spannung anliegt und aufgrund der sehr hohen Drain-Source-Impedanz außer dem Leckstrom kein Strom im Drain fließt.ⓘ Gate-Strom [ig] | | | +10% -10% |
✖Der Konkurrenzstrom ist definiert als der Konkurrenzstrom, der in den proportionalen Stromkreisen auftritt.ⓘ Konflikt aktuell [icon] | | | +10% -10% |
✖Der Sperrschichtstrom ist ein Sperrschichtleckstrom aus Source/Drain-Diffusionen.ⓘ Kreuzungsstrom [ij] | | | +10% -10% |