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✖Die Source-Body-Potentialdifferenz wird berechnet, wenn ein extern angelegtes Potential gleich der Summe des Spannungsabfalls über der Oxidschicht und des Spannungsabfalls über dem Halbleiter ist.ⓘ Potenzialdifferenz des Quellkörpers [V_sb]			+10% -10%
✖Der DIBL-Koeffizient in einem CMOS-Gerät liegt typischerweise in der Größenordnung von 0,1.ⓘ DIBL-Koeffizient [η]			+10% -10%

✖Die Sub-Threshold-Steilheit ist ein Merkmal der Strom-Spannungs-Kennlinie eines MOSFET.ⓘ Steilheit unter der Schwelle [S]

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Steilheit unter der Schwelle Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Unterschwellenneigung = Potenzialdifferenz des Quellkörpers*DIBL-Koeffizient*ln(10)
S = V_sb*η*ln(10)
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 3 Variablen

Verwendete Funktionen

ln - Der natürliche Logarithmus, auch Logarithmus zur Basis e genannt, ist die Umkehrfunktion der natürlichen Exponentialfunktion., ln(Number)

Verwendete Variablen

Unterschwellenneigung - Die Sub-Threshold-Steilheit ist ein Merkmal der Strom-Spannungs-Kennlinie eines MOSFET.
Potenzialdifferenz des Quellkörpers - (Gemessen in Volt) - Die Source-Body-Potentialdifferenz wird berechnet, wenn ein extern angelegtes Potential gleich der Summe des Spannungsabfalls über der Oxidschicht und des Spannungsabfalls über dem Halbleiter ist.
DIBL-Koeffizient - Der DIBL-Koeffizient in einem CMOS-Gerät liegt typischerweise in der Größenordnung von 0,1.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Potenzialdifferenz des Quellkörpers: 1.36 Volt --> 1.36 Volt Keine Konvertierung erforderlich
DIBL-Koeffizient: 0.2 --> Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

S = V_sb*η*ln(10) --> 1.36*0.2*ln(10)

Auswerten ... ...

S = 0.626303145294381

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.626303145294381 --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.626303145294381 ≈ 0.626303 <-- Unterschwellenneigung

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Body-Effect-Koeffizient

LaTeX Gehen Körpereffektkoeffizient = modulus((Grenzspannung-Schwellenspannung DIBL)/(sqrt(Oberflächenpotential+(Potenzialdifferenz des Quellkörpers))-sqrt(Oberflächenpotential)))

DIBL-Koeffizient

LaTeX Gehen DIBL-Koeffizient = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/Drain-to-Source-Potenzial

Kanalladung

LaTeX Gehen Kanalgebühr = Gate-Kapazität*(Gate-zu-Kanal-Spannung-Grenzspannung)

Kritische Spannung

LaTeX Gehen Kritische Spannung = Kritisches elektrisches Feld*Elektrisches Feld über die Kanallänge

Mehr sehen >>

Steilheit unter der Schwelle Formel

LaTeX Gehen

Unterschwellenneigung = Potenzialdifferenz des Quellkörpers*DIBL-Koeffizient*ln(10)
S = V_sb*η*ln(10)

Was zeigt die unterschwellige Steigung an?

Die Steilheit unter dem Schwellwert gibt an, wie stark die Gate-Spannung abfallen muss, um den Leckstrom um eine Größenordnung zu verringern. Ein typischer Wert ist 100 mV/Dekade bei Raumtemperatur.

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