Substrat-Vorspannungskoeffizient Taschenrechner

✖Die Dotierungskonzentration des Akzeptors bezieht sich auf die Konzentration der Akzeptoratome, die einem Halbleitermaterial absichtlich hinzugefügt werden.ⓘ Dopingkonzentration des Akzeptors [N_A]			+10% -10%
✖Die Oxidkapazität bezeichnet die Kapazität, die mit der isolierenden Oxidschicht in einer Metall-Oxid-Halbleiterstruktur (MOS) wie beispielsweise in MOSFETs verbunden ist.ⓘ Oxidkapazität [C_ox]			+10% -10%

✖Der Substratvorspannungskoeffizient ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET) verwendet wird.ⓘ Substrat-Vorspannungskoeffizient [γ_s]

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Substrat-Vorspannungskoeffizient Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Substrat-Vorspannungskoeffizient = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingkonzentration des Akzeptors)/Oxidkapazität
γ_s = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N_A)/C_ox
Diese formel verwendet 2 Konstanten, 1 Funktionen, 3 Variablen

Verwendete Konstanten

[Permitivity-silicon] - Permittivität von Silizium Wert genommen als 11.7
[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19

Verwendete Funktionen

sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)

Verwendete Variablen

Substrat-Vorspannungskoeffizient - Der Substratvorspannungskoeffizient ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET) verwendet wird.
Dopingkonzentration des Akzeptors - (Gemessen in Elektronen pro Kubikmeter) - Die Dotierungskonzentration des Akzeptors bezieht sich auf die Konzentration der Akzeptoratome, die einem Halbleitermaterial absichtlich hinzugefügt werden.
Oxidkapazität - (Gemessen in Farad) - Die Oxidkapazität bezeichnet die Kapazität, die mit der isolierenden Oxidschicht in einer Metall-Oxid-Halbleiterstruktur (MOS) wie beispielsweise in MOSFETs verbunden ist.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Dopingkonzentration des Akzeptors: 1.32 Elektronen pro Kubikzentimeter --> 1320000 Elektronen pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Oxidkapazität: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

γ_s = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N_A)/C_ox --> sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000)/3.9

Auswerten ... ...

γ_s = 5.70407834987726E-07

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

5.70407834987726E-07 --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

5.70407834987726E-07 ≈ 5.7E-7 <-- Substrat-Vorspannungskoeffizient

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Dipanjona Mallick

Heritage Institute of Technology (HITK), Kalkutta

Dipanjona Mallick hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung

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Substrat-Vorspannungskoeffizient Formel

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Substrat-Vorspannungskoeffizient = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingkonzentration des Akzeptors)/Oxidkapazität
γ_s = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N_A)/C_ox

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