✖Die Gate-Source-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen dem Gate und der Source des MOSFET-Übergangs beobachtet wird.ⓘ Gate-Source-Kapazität [Cgs] | | | +10% -10% |
✖Der Quellenwiderstand eines Verstärkers ist definiert als der Innenwiderstand der mit dem Verstärker verbundenen Quelle.ⓘ Quellenwiderstandsverstärker [Rs] | | | +10% -10% |
✖Die Gate-Drain-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Drain der MOSFET-Verbindung beobachtet wird.ⓘ Gate-to-Drain-Kapazität [Cgd] | | | +10% -10% |
✖Der Widerstand zwischen Gate und Drain ist ein Maß für den Widerstand gegen den Stromfluss in einem Stromkreis zwischen Gate und Drain.ⓘ Widerstand über Gate und Drain [Rgd] | | | +10% -10% |
✖Die Kapazität ist das Verhältnis der auf einem Leiter gespeicherten elektrischen Ladungsmenge zu einer elektrischen Potenzialdifferenz.ⓘ Kapazität [Ct] | | | +10% -10% |
✖Der Widerstand ist ein Maß für den Widerstand gegen den Stromfluss in einem Stromkreis. Seine SI-Einheit ist Ohm.ⓘ Widerstand [Rt] | | | +10% -10% |