Signalstrom im Emitter bei gegebenem Eingangssignal Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Signalstrom im Emitter = Grundkomponentenspannung/Emitterwiderstand
ise = Vfc/Re
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Signalstrom im Emitter - (Gemessen in Ampere) - Der Signalstrom im Emitter ist der Strom im verstärkten Ausgangsstrom eines Transistors.
Grundkomponentenspannung - (Gemessen in Volt) - Die Grundspannungskomponente ist die erste Harmonische der Spannung in der harmonischen Analyse der Rechteckwelle der Spannung in einer Wechselrichterschaltung.
Emitterwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Emitterwiderstand ist ein dynamischer Widerstand der Emitter-Basis-Übergangsdiode eines Transistors.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Grundkomponentenspannung: 5 Volt --> 5 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Emitterwiderstand: 0.067 Kiloohm --> 67 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
ise = Vfc/Re --> 5/67
Auswerten ... ...
ise = 0.0746268656716418
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.0746268656716418 Ampere -->74.6268656716418 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
74.6268656716418 74.62687 Milliampere <-- Signalstrom im Emitter
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Anshika Arya
Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur
Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

Eigenschaften des Transistorverstärkers Taschenrechner

Strom, der durch den induzierten Kanal im Transistor bei gegebener Oxidspannung fließt
​ Gehen Ausgangsstrom = (Mobilität des Elektrons*Oxidkapazität*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Spannung über Oxid-Grenzspannung))*Sättigungsspannung zwischen Drain und Source
Stromeintritt in den Drain-Anschluss des MOSFET bei Sättigung
​ Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Effektive Spannung)^2
Gesamte momentane Drain-Spannung
​ Gehen Gesamte momentane Entladespannung = Grundkomponentenspannung-Abflusswiderstand*Stromverbrauch
Eingangsspannung im Transistor
​ Gehen Grundkomponentenspannung = Abflusswiderstand*Stromverbrauch-Gesamte momentane Entladespannung

CV-Aktionen gängiger Bühnenverstärker Taschenrechner

Eingangswiderstand des Verstärkers mit gemeinsamem Emitter
​ Gehen Eingangswiderstand = (1/Basiswiderstand+1/Basiswiderstand 2+1/Kleinsignal-Eingangswiderstand)^-1
Eingangsimpedanz des Common-Base-Verstärkers
​ Gehen Eingangsimpedanz = (1/Emitterwiderstand+1/Kleinsignal-Eingangswiderstand)^(-1)
Grundspannung im Common-Emitter-Verstärker
​ Gehen Grundkomponentenspannung = Eingangswiderstand*Basisstrom
Emitterstrom des Verstärkers in Basisschaltung
​ Gehen Emitterstrom = Eingangsspannung/Emitterwiderstand

Signalstrom im Emitter bei gegebenem Eingangssignal Formel

Signalstrom im Emitter = Grundkomponentenspannung/Emitterwiderstand
ise = Vfc/Re

Was ist Emitterstrom?

Der Emitterstrom eines Transistors ist der verstärkte Ausgangsstrom eines Bipolartransistors. Es gibt verschiedene Möglichkeiten, den Emitterstrom eines Transistors zu ermitteln.

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