✖Unter Akzeptorkonzentration versteht man die Konzentration von Akzeptor-Dotierstoffatomen in einem Halbleitermaterial.ⓘ Akzeptorkonzentration [NA] | | | +10% -10% |
✖Das Oberflächenpotential ist ein Schlüsselparameter bei der Bewertung der Gleichstromeigenschaft von Dünnschichttransistoren.ⓘ Oberflächenpotential [Φs] | | | +10% -10% |
✖Die Übergangstiefe ist definiert als der Abstand von der Oberfläche eines Halbleitermaterials bis zu dem Punkt, an dem eine signifikante Änderung der Konzentration von Dotierstoffatomen auftritt.ⓘ Verbindungstiefe [xj] | | | +10% -10% |
✖Die Oxidkapazität pro Flächeneinheit ist definiert als die Kapazität pro Flächeneinheit der isolierenden Oxidschicht, die das Metallgate vom Halbleitermaterial trennt.ⓘ Oxidkapazität pro Flächeneinheit [Coxide] | | | +10% -10% |
✖Die Kanallänge bezieht sich auf die physikalische Länge des Halbleitermaterials zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen innerhalb der Transistorstruktur.ⓘ Kanallänge [L] | | | +10% -10% |
✖Die Verarmungstiefe des Pn-Übergangs mit Quelle ist definiert als der Bereich um einen PN-Übergang, in dem Ladungsträger aufgrund der Bildung eines elektrischen Feldes verarmt sind.ⓘ Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle [xdS] | | | +10% -10% |
✖Die Verarmungstiefe des Pn-Übergangs mit Drain ist definiert als die Ausdehnung des Verarmungsbereichs in das Halbleitermaterial in der Nähe des Drain-Anschlusses.ⓘ Erschöpfungstiefe des Pn-Übergangs mit Abfluss [xdD] | | | +10% -10% |