✖Die Kanalbreite ist definiert als die physikalische Breite des Halbleiterkanals zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen innerhalb der Transistorstruktur.ⓘ Kanalbreite [Wc] | | | +10% -10% |
✖Die Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit ist definiert als die maximale Geschwindigkeit, die Elektronen in einem Halbleitermaterial unter dem Einfluss eines elektrischen Feldes erreichen.ⓘ Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit [vd(sat)] | | | +10% -10% |
✖Die Oxidkapazität pro Flächeneinheit ist definiert als die Kapazität pro Flächeneinheit der isolierenden Oxidschicht, die das Metallgate vom Halbleitermaterial trennt.ⓘ Oxidkapazität pro Flächeneinheit [Coxide] | | | +10% -10% |
✖Die Sättigungs-Drain-Source-Spannung ist definiert als die Spannung an den Drain- und Source-Anschlüssen eines MOSFET, wenn der Transistor im Sättigungsmodus arbeitet.ⓘ Sättigungs-Drain-Quellenspannung [VDsat] | | | +10% -10% |