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Schichtwiderstand der Schicht Taschenrechner

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✖Ladung ist eine Eigenschaft einer Materieeinheit, die ausdrückt, inwieweit sie mehr oder weniger Elektronen als Protonen aufweist.ⓘ Aufladung [q]			+10% -10%
✖Die Elektronendotierungs-Siliziummobilität beschreibt, wie schnell sich ein Elektron durch ein Metall oder einen Halbleiter bewegen kann, wenn es von einem elektrischen Feld angezogen wird.ⓘ Elektronendotierte Siliziummobilität [μ_n]			+10% -10%
✖Die Gleichgewichtskonzentration des N-Typs entspricht der Dichte der Donoratome, da die Elektronen für die Leitung ausschließlich vom Donoratom bereitgestellt werden.ⓘ Gleichgewichtskonzentration des N-Typs [N_d]			+10% -10%
✖Die Schichtdicke wird häufig bei der Herstellung von Gussteilen verwendet, um sicherzustellen, dass die Wandstruktur mit genau der richtigen Materialmenge entworfen wird.ⓘ Dicke der Schicht [t]			+10% -10%

✖Der Schichtwiderstand ist der Widerstand eines quadratischen Stücks aus dünnem Material mit Kontakten auf zwei gegenüberliegenden Seiten des Quadrats.ⓘ Schichtwiderstand der Schicht [R_s]

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Schichtwiderstand der Schicht Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Schichtwiderstand = 1/(Aufladung*Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs*Dicke der Schicht)
R_s = 1/(q*μ_n*N_d*t)
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Schichtwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Schichtwiderstand ist der Widerstand eines quadratischen Stücks aus dünnem Material mit Kontakten auf zwei gegenüberliegenden Seiten des Quadrats.
Aufladung - (Gemessen in Coulomb) - Ladung ist eine Eigenschaft einer Materieeinheit, die ausdrückt, inwieweit sie mehr oder weniger Elektronen als Protonen aufweist.
Elektronendotierte Siliziummobilität - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - Die Elektronendotierungs-Siliziummobilität beschreibt, wie schnell sich ein Elektron durch ein Metall oder einen Halbleiter bewegen kann, wenn es von einem elektrischen Feld angezogen wird.
Gleichgewichtskonzentration des N-Typs - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Gleichgewichtskonzentration des N-Typs entspricht der Dichte der Donoratome, da die Elektronen für die Leitung ausschließlich vom Donoratom bereitgestellt werden.
Dicke der Schicht - (Gemessen in Meter) - Die Schichtdicke wird häufig bei der Herstellung von Gussteilen verwendet, um sicherzustellen, dass die Wandstruktur mit genau der richtigen Materialmenge entworfen wird.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Aufladung: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Elektronendotierte Siliziummobilität: 0.38 Quadratzentimeter pro Voltsekunde --> 3.8E-05 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Gleichgewichtskonzentration des N-Typs: 45 1 pro Kubikzentimeter --> 45000000 1 pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Dicke der Schicht: 100.5 Zentimeter --> 1.005 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

R_s = 1/(q*μ_n*N_d*t) --> 1/(0.005*3.8E-05*45000000*1.005)

Auswerten ... ...

R_s = 0.116377178435309

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.116377178435309 Ohm --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.116377178435309 ≈ 0.116377 Ohm <-- Schichtwiderstand

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Rahul Gupta

Chandigarh-Universität (CU), Mohali, Punjab

Rahul Gupta hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner verifiziert!

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Leitfähigkeit vom N-Typ

LaTeX Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs+Lochdotierung der Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des N-Typs))

Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen

LaTeX Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Elektronenkonzentration+Lochdotierung der Siliziummobilität*Lochkonzentration)

Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration

LaTeX Gehen Intrinsische Konzentration = sqrt((Elektronenkonzentration*Lochkonzentration)/Temperaturverunreinigung)

Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters

LaTeX Gehen Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung = Kollektor-Basis-Break-Spannung/(Aktueller Gewinn von BJT)^(1/Stammnummer)

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