Zweite Polfrequenz des CG-Verstärkers Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Zweite Polfrequenz = 1/(2*pi*Lastwiderstand*(Gate-to-Drain-Kapazität+Kapazität))
fp2 = 1/(2*pi*RL*(Cgd+Ct))
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 4 Variablen
Verwendete Konstanten
pi - Archimedes-Konstante Wert genommen als 3.14159265358979323846264338327950288
Verwendete Variablen
Zweite Polfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Die Zweitpolfrequenz ist die Frequenz, bei der sich die Übertragungsfunktion eines Systems der Unendlichkeit nähert.
Lastwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Lastwiderstand ist der kumulative Widerstand eines Stromkreises, gemessen an der Spannung, dem Strom oder der Stromquelle, die diesen Stromkreis antreibt.
Gate-to-Drain-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Drain-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Drain der MOSFET-Verbindung beobachtet wird.
Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Kapazität ist das Verhältnis der auf einem Leiter gespeicherten elektrischen Ladungsmenge zu einer elektrischen Potenzialdifferenz.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Lastwiderstand: 1.49 Kiloohm --> 1490 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Gate-to-Drain-Kapazität: 1.345 Mikrofarad --> 1.345E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Kapazität: 2.889 Mikrofarad --> 2.889E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
fp2 = 1/(2*pi*RL*(Cgd+Ct)) --> 1/(2*pi*1490*(1.345E-06+2.889E-06))
Auswerten ... ...
fp2 = 25.2280108758271
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
25.2280108758271 Hertz --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
25.2280108758271 25.22801 Hertz <-- Zweite Polfrequenz
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

Reaktion des CG-Verstärkers Taschenrechner

Leerlaufzeitkonstante im Hochfrequenzgang des CG-Verstärkers
​ LaTeX ​ Gehen Zeitkonstante des offenen Stromkreises = Gate-Source-Kapazität*(1/Signalwiderstand+Transkonduktanz)+(Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität)*Lastwiderstand
Eingangswiderstand des CG-Verstärkers
​ LaTeX ​ Gehen Widerstand = (Endlicher Eingangswiderstand+Lastwiderstand)/(1+(Transkonduktanz*Endlicher Eingangswiderstand))
Zweite Polfrequenz des CG-Verstärkers
​ LaTeX ​ Gehen Zweite Polfrequenz = 1/(2*pi*Lastwiderstand*(Gate-to-Drain-Kapazität+Kapazität))
Leerlaufzeitkonstante zwischen Gate und Drain des Verstärkers mit gemeinsamem Gate
​ LaTeX ​ Gehen Zeitkonstante des offenen Stromkreises = (Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität)*Lastwiderstand

Gängige Bühnenverstärker Taschenrechner

Effektive Hochfrequenz-Zeitkonstante des CE-Verstärkers
​ LaTeX ​ Gehen Effektive Hochfrequenz-Zeitkonstante = Basis-Emitter-Kapazität*Signalwiderstand+(Kollektor-Basis-Verbindungskapazität*(Signalwiderstand*(1+Transkonduktanz*Lastwiderstand)+Lastwiderstand))+(Kapazität*Lastwiderstand)
Hochfrequenzband bei gegebener komplexer Frequenzvariable
​ LaTeX ​ Gehen Verstärkerverstärkung im Mittelband = sqrt(((1+(3 dB Frequenz/Frequenz))*(1+(3 dB Frequenz/Beobachtete Häufigkeit)))/((1+(3 dB Frequenz/Polfrequenz))*(1+(3 dB Frequenz/Zweite Polfrequenz))))
Kollektor-Basis-Verbindungswiderstand des CE-Verstärkers
​ LaTeX ​ Gehen Sammlerwiderstand = Signalwiderstand*(1+Transkonduktanz*Lastwiderstand)+Lastwiderstand
Verstärkerbandbreite in einem Verstärker mit diskreter Schaltung
​ LaTeX ​ Gehen Verstärkerbandbreite = Hochfrequenz-Niederfrequenz

Zweite Polfrequenz des CG-Verstärkers Formel

​LaTeX ​Gehen
Zweite Polfrequenz = 1/(2*pi*Lastwiderstand*(Gate-to-Drain-Kapazität+Kapazität))
fp2 = 1/(2*pi*RL*(Cgd+Ct))

Was ist ein CG-Verstärker?

In der Elektronik ist ein Common-Gate-Verstärker eine von drei grundlegenden einstufigen Feldeffekttransistor (FET) -Verstärker-Topologien, die typischerweise als Strompuffer oder Spannungsverstärker verwendet werden. In dieser Schaltung dient der Source-Anschluss des Transistors als Eingang, der Drain ist der Ausgang und das Gate ist mit Masse verbunden oder "gemeinsam", daher der Name. Die analoge Bipolartransistorschaltung ist der Common-Base-Verstärker.

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