Zweiter Drainstrom des MOSFET im Großsignalbetrieb Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Strom ableiten 2 = DC-Vorstrom/2-DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung*Differenzielles Eingangssignal/2*sqrt(1-(Differenzielles Eingangssignal)^2/(4*Overdrive-Spannung^2))
Id2 = Ib/2-Ib/Vov*Vid/2*sqrt(1-(Vid)^2/(4*Vov^2))
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 4 Variablen
Verwendete Funktionen
sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)
Verwendete Variablen
Strom ableiten 2 - (Gemessen in Ampere) - Drain-Strom 2 ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.
DC-Vorstrom - (Gemessen in Ampere) - Der DC-Vorspannungsstrom ist der konstante Strom, der durch einen Schaltkreis oder ein Gerät fließt, um einen bestimmten Arbeitspunkt oder Vorspannungspunkt festzulegen.
Overdrive-Spannung - (Gemessen in Volt) - Übersteuerungsspannung ist ein Begriff aus der Elektronik und bezieht sich auf den an ein Gerät oder eine Komponente angelegten Spannungspegel, der seine normale Betriebsspannung überschreitet.
Differenzielles Eingangssignal - (Gemessen in Volt) - Ein Differenzeingangssignal bezieht sich auf eine Art elektrisches Signal, das aus zwei separaten Spannungssignalen besteht, die jeweils in Bezug auf einen gemeinsamen Referenzpunkt gemessen werden, der üblicherweise als Erde bezeichnet wird.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
DC-Vorstrom: 985 Milliampere --> 0.985 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Overdrive-Spannung: 3.12 Volt --> 3.12 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Differenzielles Eingangssignal: 0.03 Volt --> 0.03 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Id2 = Ib/2-Ib/Vov*Vid/2*sqrt(1-(Vid)^2/(4*Vov^2)) --> 0.985/2-0.985/3.12*0.03/2*sqrt(1-(0.03)^2/(4*3.12^2))
Auswerten ... ...
Id2 = 0.487764477806078
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.487764477806078 Ampere -->487.764477806078 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
487.764477806078 487.7645 Milliampere <-- Strom ableiten 2
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

Aktuell Taschenrechner

Zweiter Drainstrom des MOSFET im Großsignalbetrieb
​ LaTeX ​ Gehen Strom ableiten 2 = DC-Vorstrom/2-DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung*Differenzielles Eingangssignal/2*sqrt(1-(Differenzielles Eingangssignal)^2/(4*Overdrive-Spannung^2))
Erster Drainstrom des MOSFET im Großsignalbetrieb
​ LaTeX ​ Gehen Strom ableiten 1 = DC-Vorstrom/2+DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung*Differenzielles Eingangssignal/2*sqrt(1-Differenzielles Eingangssignal^2/(4*Overdrive-Spannung^2))
Erster Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung
​ LaTeX ​ Gehen Strom ableiten 1 = DC-Vorstrom/2+DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung*Differenzielles Eingangssignal/2
Drainstrom des MOSFET bei Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung
​ LaTeX ​ Gehen Stromverbrauch = (DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung)*(Differenzielles Eingangssignal/2)

Zweiter Drainstrom des MOSFET im Großsignalbetrieb Formel

​LaTeX ​Gehen
Strom ableiten 2 = DC-Vorstrom/2-DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung*Differenzielles Eingangssignal/2*sqrt(1-(Differenzielles Eingangssignal)^2/(4*Overdrive-Spannung^2))
Id2 = Ib/2-Ib/Vov*Vid/2*sqrt(1-(Vid)^2/(4*Vov^2))

Was ist die differentielle Eingangsspannung?

Die differentielle Eingangsspannung ist die maximale Spannung, die an die Pins des Eingangs (nicht invertierender Eingang) und des Eingangs (invertierender Eingang) angelegt werden kann, ohne die IC-Eigenschaften zu beschädigen oder zu beeinträchtigen.

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