Sättigungsspannung des MOSFET Taschenrechner

✖Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird.ⓘ Gate-Source-Spannung [V_gs]			+10% -10%
✖Die Schwellenspannung, auch bekannt als Gate-Schwellenspannung oder einfach Vth, ist ein kritischer Parameter beim Betrieb von Feldeffekttransistoren, die grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind.ⓘ Grenzspannung [V_th]			+10% -10%

✖Die Drain- und Source-Sättigungsspannung ist die Spannung, bei der der FET nicht mehr als Verstärker arbeiten kann und seine Ausgangsspannung auf einen Maximalwert fixiert wird.ⓘ Sättigungsspannung des MOSFET [V_ds(s)]

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Sättigungsspannung des MOSFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Drain- und Source-Sättigungsspannung = Gate-Source-Spannung-Grenzspannung
V_ds(s) = V_gs-V_th
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Drain- und Source-Sättigungsspannung - (Gemessen in Volt) - Die Drain- und Source-Sättigungsspannung ist die Spannung, bei der der FET nicht mehr als Verstärker arbeiten kann und seine Ausgangsspannung auf einen Maximalwert fixiert wird.
Gate-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung, auch bekannt als Gate-Schwellenspannung oder einfach Vth, ist ein kritischer Parameter beim Betrieb von Feldeffekttransistoren, die grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Gate-Source-Spannung: 4 Volt --> 4 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Grenzspannung: 2.3 Volt --> 2.3 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_ds(s) = V_gs-V_th --> 4-2.3

Auswerten ... ...

V_ds(s) = 1.7

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1.7 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1.7 Volt <-- Drain- und Source-Sättigungsspannung

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Sättigungsspannung des MOSFET Formel

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Drain- und Source-Sättigungsspannung = Gate-Source-Spannung-Grenzspannung
V_ds(s) = V_gs-V_th

Was ist der Sättigungsbereich des MOSFET?

Im Sättigungs- oder linearen Bereich wird der Transistor vorgespannt, so dass die maximale Menge an Gate-Spannung an die Vorrichtung angelegt wird, was zu dem Kanalwiderstand RDS führt (wenn er so klein wie möglich ist und der maximale Drainstrom durch den MOSFET-Schalter fließt.

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