Sättigungsspannung des IGBT Taschenrechner

✖Basis-Emitter-Spannung PNP IGBT. Ein IGBT ist ein Hybridgerät, das die Vorteile eines MOSFET und eines BJT kombiniert.ⓘ Basis-Emitter-Spannung PNP IGBT [V_{B-E(pnp)(igbt)}]			+10% -10%
✖Der Drain-Strom (IGBT) ist der Strom, der durch die Drain-Verbindung von MOSFET und IGBT fließt.ⓘ Drain-Strom (IGBT) [I_d(igbt)]			+10% -10%
✖Der Leitfähigkeitswiderstand IGBT ist der Widerstand, wenn ein IGBT eingeschaltet ist und Strom leitet.ⓘ Leitfähigkeit Widerstand IGBT [R_s(igbt)]			+10% -10%
✖Der N-Kanal-Widerstand (IGBT) ist der Widerstand des Halbleitermaterials im Gerät, wenn der IGBT eingeschaltet ist.ⓘ N-Kanal-Widerstand (IGBT) [R_ch(igbt)]			+10% -10%

✖Die Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (IGBT) eines Bipolartransistors mit isoliertem Gate ist der Spannungsabfall über dem IGBT, wenn dieser eingeschaltet ist und Strom leitet.ⓘ Sättigungsspannung des IGBT [V_{c-e(sat)(igbt)}]

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Sättigungsspannung des IGBT Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Sättigungsspannung Kollektor-Emitter (IGBT) = Basis-Emitter-Spannung PNP IGBT+Drain-Strom (IGBT)*(Leitfähigkeit Widerstand IGBT+N-Kanal-Widerstand (IGBT))
V_{c-e(sat)(igbt)} = V_{B-E(pnp)(igbt)}+I_d(igbt)*(R_s(igbt)+R_ch(igbt))
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Sättigungsspannung Kollektor-Emitter (IGBT) - (Gemessen in Volt) - Die Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (IGBT) eines Bipolartransistors mit isoliertem Gate ist der Spannungsabfall über dem IGBT, wenn dieser eingeschaltet ist und Strom leitet.
Basis-Emitter-Spannung PNP IGBT - (Gemessen in Volt) - Basis-Emitter-Spannung PNP IGBT. Ein IGBT ist ein Hybridgerät, das die Vorteile eines MOSFET und eines BJT kombiniert.
Drain-Strom (IGBT) - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom (IGBT) ist der Strom, der durch die Drain-Verbindung von MOSFET und IGBT fließt.
Leitfähigkeit Widerstand IGBT - (Gemessen in Ohm) - Der Leitfähigkeitswiderstand IGBT ist der Widerstand, wenn ein IGBT eingeschaltet ist und Strom leitet.
N-Kanal-Widerstand (IGBT) - (Gemessen in Ohm) - Der N-Kanal-Widerstand (IGBT) ist der Widerstand des Halbleitermaterials im Gerät, wenn der IGBT eingeschaltet ist.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Basis-Emitter-Spannung PNP IGBT: 2.15 Volt --> 2.15 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Drain-Strom (IGBT): 105 Milliampere --> 0.105 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Leitfähigkeit Widerstand IGBT: 1.03 Kiloohm --> 1030 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)
N-Kanal-Widerstand (IGBT): 10.59 Kiloohm --> 10590 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_{c-e(sat)(igbt)} = V_{B-E(pnp)(igbt)}+I_d(igbt)*(R_s(igbt)+R_ch(igbt)) --> 2.15+0.105*(1030+10590)

Auswerten ... ...

V_{c-e(sat)(igbt)} = 1222.25

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1222.25 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1222.25 Volt <-- Sättigungsspannung Kollektor-Emitter (IGBT)

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Mohamed Fazil V

Acharya-Institut für Technologie (AIT), Bengaluru

Mohamed Fazil V hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner verifiziert!

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