Sättigungszeit Taschenrechner

✖Die Lastkapazität ist die Gesamtkapazität, die mit dem Ausgangsanschluss des Transistors verbunden ist, einschließlich externer Komponenten und der eigenen parasitären Kapazität des MOSFET.ⓘ Ladekapazität [C_load]			+10% -10%
✖Der Transkonduktanz-Prozessparameter ist eine gerätespezifische Konstante, die die Fähigkeit des Transistors charakterisiert, eine Änderung der Gate-Spannung in eine Änderung des Ausgangsstroms umzuwandeln.ⓘ Transkonduktanz-Prozessparameter [k_n]			+10% -10%
✖Die hohe Ausgangsspannung ist der maximale Spannungspegel, den der Transistor an seinem Ausgangsanschluss erreichen kann, wenn er vollständig eingeschaltet ist (im Sättigungsbetrieb).ⓘ Hohe Ausgangsspannung [V_OH]			+10% -10%
✖Die Schwellenspannung ist die minimale Gate-Source-Spannung, die in einem MOSFET erforderlich ist, um ihn „einzuschalten“ und einen signifikanten Stromfluss zu ermöglichen.ⓘ Grenzspannung [V_T]			+10% -10%

✖Die Sättigungszeit ist die Zeit, die die Ausgangsspannung eines MOSFET benötigt, um einen bestimmten Wert (V) zu erreichenⓘ Sättigungszeit [T_sat]

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Sättigungszeit Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Sättigungszeit = -2*Ladekapazität/(Transkonduktanz-Prozessparameter*(Hohe Ausgangsspannung-Grenzspannung)^2)*int(1,x,Hohe Ausgangsspannung,Hohe Ausgangsspannung-Grenzspannung)
T_sat = -2*C_load/(k_n*(V_OH-V_T)^2)*int(1,x,V_OH,V_OH-V_T)
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 5 Variablen

Verwendete Funktionen

int - Mit dem bestimmten Integral kann die Nettofläche mit Vorzeichen berechnet werden. Dabei handelt es sich um die Fläche oberhalb der x-Achse abzüglich der Fläche unterhalb der x-Achse., int(expr, arg, from, to)

Verwendete Variablen

Sättigungszeit - (Gemessen in Zweite) - Die Sättigungszeit ist die Zeit, die die Ausgangsspannung eines MOSFET benötigt, um einen bestimmten Wert (V) zu erreichen
Ladekapazität - (Gemessen in Farad) - Die Lastkapazität ist die Gesamtkapazität, die mit dem Ausgangsanschluss des Transistors verbunden ist, einschließlich externer Komponenten und der eigenen parasitären Kapazität des MOSFET.
Transkonduktanz-Prozessparameter - (Gemessen in Ampere pro Quadratvolt) - Der Transkonduktanz-Prozessparameter ist eine gerätespezifische Konstante, die die Fähigkeit des Transistors charakterisiert, eine Änderung der Gate-Spannung in eine Änderung des Ausgangsstroms umzuwandeln.
Hohe Ausgangsspannung - (Gemessen in Volt) - Die hohe Ausgangsspannung ist der maximale Spannungspegel, den der Transistor an seinem Ausgangsanschluss erreichen kann, wenn er vollständig eingeschaltet ist (im Sättigungsbetrieb).
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung ist die minimale Gate-Source-Spannung, die in einem MOSFET erforderlich ist, um ihn „einzuschalten“ und einen signifikanten Stromfluss zu ermöglichen.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Ladekapazität: 9.77 Farad --> 9.77 Farad Keine Konvertierung erforderlich
Transkonduktanz-Prozessparameter: 4.553 Ampere pro Quadratvolt --> 4.553 Ampere pro Quadratvolt Keine Konvertierung erforderlich
Hohe Ausgangsspannung: 3.789 Volt --> 3.789 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Grenzspannung: 5.91 Volt --> 5.91 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

T_sat = -2*C_load/(k_n*(V_OH-V_T)^2)*int(1,x,V_OH,V_OH-V_T) --> -2*9.77/(4.553*(3.789-5.91)^2)*int(1,x,3.789,3.789-5.91)

Auswerten ... ...

T_sat = 5.63810361511811

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

5.63810361511811 Zweite --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

5.63810361511811 ≈ 5.638104 Zweite <-- Sättigungszeit

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Vignesh Naidu

Vellore Institut für Technologie (VIT), Vellore, Tamil Nadu

Vignesh Naidu hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Dipanjona Mallick

Heritage Institute of Technology (HITK), Kalkutta

Dipanjona Mallick hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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