Sättigungsdrainstrom Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Diodensättigungsstrom = 0.5*Transkonduktanzparameter*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)
Is = 0.5*gm*(Vgs-Vth)
Diese formel verwendet 4 Variablen
Verwendete Variablen
Diodensättigungsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Diodensättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode bei Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.
Transkonduktanzparameter - (Gemessen in Siemens) - Der Transkonduktanzparameter ist ein entscheidender Parameter in elektronischen Geräten und Schaltkreisen, der hilft, die Eingangs-Ausgangs-Beziehung zwischen Spannung und Strom zu beschreiben und zu quantifizieren.
Gate-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-Source-Spannung eines Transistors ist die Spannung, die am Gate-Source-Anschluss des Transistors abfällt.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Transkonduktanzparameter: 0.036 Siemens --> 0.036 Siemens Keine Konvertierung erforderlich
Gate-Source-Spannung: 1.25 Volt --> 1.25 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Grenzspannung: 0.7 Volt --> 0.7 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Is = 0.5*gm*(Vgs-Vth) --> 0.5*0.036*(1.25-0.7)
Auswerten ... ...
Is = 0.0099
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.0099 Ampere -->9.9 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
9.9 Milliampere <-- Diodensättigungsstrom
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Akshada Kulkarni
Nationales Institut für Informationstechnologie (NIIT), Neemrana
Akshada Kulkarni hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Team Softusvista
Softusvista Office (Pune), Indien
Team Softusvista hat diesen Rechner und 1100+ weitere Rechner verifiziert!

Diodeneigenschaften Taschenrechner

Zenerstrom
​ LaTeX ​ Gehen Zenerstrom = (Eingangsspannung-Zenerspannung)/Zener-Widerstand
Reaktionsfähigkeit
​ LaTeX ​ Gehen Reaktionsfähigkeit = Foto aktuell/Einfallende optische Leistung
Zenerspannung
​ LaTeX ​ Gehen Zenerspannung = Zener-Widerstand*Zenerstrom
Spannungsäquivalent der Temperatur
​ LaTeX ​ Gehen Voltäquivalent der Temperatur = Zimmertemperatur/11600

Sättigungsdrainstrom Formel

​LaTeX ​Gehen
Diodensättigungsstrom = 0.5*Transkonduktanzparameter*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)
Is = 0.5*gm*(Vgs-Vth)

Wie ändert sich der Drainstrom mit dem Gate zur Source- und Schwellenspannung?

Der Drainstrom ist Null, wenn die Gate-Source-Spannung kleiner als die Schwellenspannung ist. Der lineare Ausdruck ist nur gültig, wenn die Drain-Source-Spannung viel kleiner ist als die Gate-Source-Spannung abzüglich der Schwellenspannung. Dies stellt sicher, dass die Geschwindigkeit, das elektrische Feld und die Ladungsdichte der Inversionsschicht zwischen Source und Drain tatsächlich konstant sind. Während es keinen Drainstrom gibt, wenn die Gate-Spannung kleiner als die Schwellenspannung ist, steigt der Strom mit der Gate-Spannung an, sobald sie größer als die Schwellenspannung ist.

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