Sättigungsstrom im Transistor Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Sättigungsstrom = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Effektive Verbreitung*Intrinsische Konzentration^2)/Totale Unreinheit
Isat = (q*A*Dn*ni^2)/Qb
Diese formel verwendet 6 Variablen
Verwendete Variablen
Sättigungsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Sättigungsstrom bezieht sich auf den maximalen Strom, der durch den Transistor fließen kann, wenn er vollständig eingeschaltet ist.
Aufladung - (Gemessen in Coulomb) - Ladung ist eine Eigenschaft einer Materieeinheit, die ausdrückt, inwieweit sie mehr oder weniger Elektronen als Protonen aufweist.
Emitterbasis-Verbindungsbereich - (Gemessen in Quadratmeter) - Der Emitter-Basis-Übergangsbereich ist ein PN-Übergang, der zwischen dem stark dotierten P-Typ-Material (Emitter) und dem schwach dotierten N-Typ-Material (Basis) des Transistors gebildet wird.
Effektive Verbreitung - Die effektive Diffusion ist ein Parameter im Zusammenhang mit dem Diffusionsprozess von Ladungsträgern und wird von den Materialeigenschaften und der Geometrie des Halbleiterübergangs beeinflusst.
Intrinsische Konzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die intrinsische Konzentration ist die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband im intrinsischen Material.
Totale Unreinheit - (Gemessen in Quadratmeter) - Die Gesamtverunreinigung definiert die Verunreinigungen, die in Atomen pro Flächeneinheit in einer Basis gemischt sind, oder die Menge der zu einem intrinsischen Halbleiter hinzugefügten Verunreinigung variiert dessen Leitfähigkeitsniveau.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Aufladung: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Emitterbasis-Verbindungsbereich: 1.75 Quadratischer Zentimeter --> 0.000175 Quadratmeter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Effektive Verbreitung: 0.5 --> Keine Konvertierung erforderlich
Intrinsische Konzentration: 1.32 1 pro Kubikzentimeter --> 1320000 1 pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Totale Unreinheit: 3600000000 Quadratischer Zentimeter --> 360000 Quadratmeter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Isat = (q*A*Dn*ni^2)/Qb --> (0.005*0.000175*0.5*1320000^2)/360000
Auswerten ... ...
Isat = 2.1175
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
2.1175 Ampere --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
2.1175 Ampere <-- Sättigungsstrom
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Rahul Gupta
Chandigarh-Universität (CU), Mohali, Punjab
Rahul Gupta hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Ritwik Tripathi
Vellore Institut für Technologie (VIT Vellore), Vellore
Ritwik Tripathi hat diesen Rechner und 100+ weitere Rechner verifiziert!

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Leitfähigkeit vom N-Typ
​ LaTeX ​ Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs+Lochdotierung der Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des N-Typs))
Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen
​ LaTeX ​ Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Elektronenkonzentration+Lochdotierung der Siliziummobilität*Lochkonzentration)
Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration
​ LaTeX ​ Gehen Intrinsische Konzentration = sqrt((Elektronenkonzentration*Lochkonzentration)/Temperaturverunreinigung)
Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters
​ LaTeX ​ Gehen Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung = Kollektor-Basis-Break-Spannung/(Aktueller Gewinn von BJT)^(1/Stammnummer)

Sättigungsstrom im Transistor Formel

​LaTeX ​Gehen
Sättigungsstrom = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Effektive Verbreitung*Intrinsische Konzentration^2)/Totale Unreinheit
Isat = (q*A*Dn*ni^2)/Qb
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