Sättigungsstrom Taschenrechner

✖Die Basis-Emitter-Fläche ist definiert als die Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs in einem Verstärker.ⓘ Basis-Emitter-Bereich [A_be]			+10% -10%
✖Elektronendiffusivität ist der Diffusionsstrom, ein Strom in einem Halbleiter, der durch die Diffusion von Ladungsträgern (Löchern und/oder Elektronen) verursacht wird.ⓘ Elektronendiffusivität [D_n]			+10% -10%
✖Die thermische Gleichgewichtskonzentration ist definiert als die Konzentration der Träger in einem Verstärker.ⓘ Thermische Gleichgewichtskonzentration [n_po]			+10% -10%
✖Die Basisverbindungsbreite ist der Parameter, der angibt, wie breit die Basisverbindung eines analogen Elektronikelements ist.ⓘ Breite der Basisverbindung [w_b]			+10% -10%

✖Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode bei Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.ⓘ Sättigungsstrom [i_sat]

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Sättigungsstrom Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Sättigungsstrom = (Basis-Emitter-Bereich*[Charge-e]*Elektronendiffusivität*Thermische Gleichgewichtskonzentration)/Breite der Basisverbindung
i_sat = (A_be*[Charge-e]*D_n*n_po)/w_b
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 5 Variablen

Verwendete Konstanten

[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19

Verwendete Variablen

Sättigungsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode bei Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.
Basis-Emitter-Bereich - (Gemessen in Quadratmeter) - Die Basis-Emitter-Fläche ist definiert als die Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs in einem Verstärker.
Elektronendiffusivität - (Gemessen in Quadratmeter pro Sekunde) - Elektronendiffusivität ist der Diffusionsstrom, ein Strom in einem Halbleiter, der durch die Diffusion von Ladungsträgern (Löchern und/oder Elektronen) verursacht wird.
Thermische Gleichgewichtskonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die thermische Gleichgewichtskonzentration ist definiert als die Konzentration der Träger in einem Verstärker.
Breite der Basisverbindung - (Gemessen in Meter) - Die Basisverbindungsbreite ist der Parameter, der angibt, wie breit die Basisverbindung eines analogen Elektronikelements ist.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Basis-Emitter-Bereich: 0.12 Quadratischer Zentimeter --> 1.2E-05 Quadratmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Elektronendiffusivität: 0.8 Quadratzentimeter pro Sekunde --> 8E-05 Quadratmeter pro Sekunde (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Thermische Gleichgewichtskonzentration: 1E+15 1 pro Kubikzentimeter --> 1E+21 1 pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Breite der Basisverbindung: 0.0085 Zentimeter --> 8.5E-05 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

i_sat = (A_be*[Charge-e]*D_n*n_po)/w_b --> (1.2E-05*[Charge-e]*8E-05*1E+21)/8.5E-05

Auswerten ... ...

i_sat = 0.00180951712376471

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.00180951712376471 Ampere -->1.80951712376471 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1.80951712376471 ≈ 1.809517 Milliampere <-- Sättigungsstrom

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Breite der Basisverbindung des Verstärkers

LaTeX Gehen Breite der Basisverbindung = (Basis-Emitter-Bereich*[Charge-e]*Elektronendiffusivität*Thermische Gleichgewichtskonzentration)/Sättigungsstrom

Differenzspannung im Verstärker

LaTeX Gehen Differenzielles Eingangssignal = Ausgangsspannung/((Widerstand 4/Widerstand 3)*(1+(Widerstand 2)/Widerstand 1))

Stromverstärkung des Verstärkers

LaTeX Gehen Aktueller Gewinn = Ausgangsstrom/Eingangsstrom

Leistungsgewinn des Verstärkers

LaTeX Gehen Kraftgewinn = Ladeleistung/Eingangsleistung

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Sättigungsstrom Formel

LaTeX Gehen

Sättigungsstrom = (Basis-Emitter-Bereich*[Charge-e]*Elektronendiffusivität*Thermische Gleichgewichtskonzentration)/Breite der Basisverbindung
i_sat = (A_be*[Charge-e]*D_n*n_po)/w_b

Warum berechnen wir den Sättigungsstrom im Transistor?

Die Berechnung des Sättigungsstroms in Transistoren ist entscheidend für das Verständnis ihres Verhaltens und ihrer Leistung. Der Sättigungsstrom ist der Strom, bei dem die Ausgangsspannung des Transistors nicht mehr durch den Eingangsstrom beeinflusst wird. Er stellt den maximalen Strom dar, den der Transistor verarbeiten kann, ohne seinen Ausgang stark zu verzerren.

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