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Abstoßungskonstante bei gegebener Madelung-Konstante Taschenrechner

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Abstand der nächsten Annäherung Madelung Constant

✖Die Madelung-Konstante wird zur Bestimmung des elektrostatischen Potentials eines einzelnen Ions in einem Kristall verwendet, indem die Ionen durch Punktladungen angenähert werden.ⓘ Madelung Constant [M]			+10% -10%
✖Eine Ladung ist die grundlegende Eigenschaft von Materieformen, die in Gegenwart anderer Materie elektrostatische Anziehung oder Abstoßung zeigen.ⓘ Aufladen [q]			+10% -10%
✖Abstand der engsten Annäherung ist der Abstand, bis zu dem sich ein Alpha-Teilchen dem Kern nähert.ⓘ Abstand der nächsten Annäherung [r₀]			+10% -10%
✖Der Born-Exponent ist eine Zahl zwischen 5 und 12, die experimentell durch Messung der Kompressibilität des Festkörpers bestimmt oder theoretisch abgeleitet wird.ⓘ Geborener Exponent [n_born]			+10% -10%

✖Die abstoßende Wechselwirkungskonstante bei gegebenem M (wobei M = Madelung-Konstante) ist die Konstante, die die Stärke der abstoßenden Wechselwirkung skaliert.ⓘ Abstoßungskonstante bei gegebener Madelung-Konstante [B_M]

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Formel

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Abstoßungskonstante bei gegebener Madelung-Konstante

Formel

B M = \frac{M \cdot (q^{2}) \cdot ({[Charge-e]}^{2}) \cdot ({r 0}^{n born - 1})}{4 \cdot π \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot n born}

Beispiel

4.1E-29 = \frac{1.7 \cdot ({0.3 C}^{2}) \cdot ({[Charge-e]}^{2}) \cdot ({60 A}^{0.9926 - 1})}{4 \cdot π \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot 0.9926}

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Abstoßungskonstante bei gegebener Madelung-Konstante Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Abstoßende Wechselwirkungskonstante bei gegebenem M = (Madelung Constant*(Aufladen^2)*([Charge-e]^2)*(Abstand der nächsten Annäherung^(Geborener Exponent-1)))/(4*pi*[Permitivity-vacuum]*Geborener Exponent)
B_M = (M*(q^2)*([Charge-e]^2)*(r₀^(n_born-1)))/(4*pi*[Permitivity-vacuum]*n_born)
Diese formel verwendet 3 Konstanten, 5 Variablen

Verwendete Konstanten

[Permitivity-vacuum] - Permittivität des Vakuums Wert genommen als 8.85E-12
[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19
pi - Archimedes-Konstante Wert genommen als 3.14159265358979323846264338327950288

Verwendete Variablen

Abstoßende Wechselwirkungskonstante bei gegebenem M - Die abstoßende Wechselwirkungskonstante bei gegebenem M (wobei M = Madelung-Konstante) ist die Konstante, die die Stärke der abstoßenden Wechselwirkung skaliert.
Madelung Constant - Die Madelung-Konstante wird zur Bestimmung des elektrostatischen Potentials eines einzelnen Ions in einem Kristall verwendet, indem die Ionen durch Punktladungen angenähert werden.
Aufladen - (Gemessen in Coulomb) - Eine Ladung ist die grundlegende Eigenschaft von Materieformen, die in Gegenwart anderer Materie elektrostatische Anziehung oder Abstoßung zeigen.
Abstand der nächsten Annäherung - (Gemessen in Meter) - Abstand der engsten Annäherung ist der Abstand, bis zu dem sich ein Alpha-Teilchen dem Kern nähert.
Geborener Exponent - Der Born-Exponent ist eine Zahl zwischen 5 und 12, die experimentell durch Messung der Kompressibilität des Festkörpers bestimmt oder theoretisch abgeleitet wird.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Madelung Constant: 1.7 --> Keine Konvertierung erforderlich
Aufladen: 0.3 Coulomb --> 0.3 Coulomb Keine Konvertierung erforderlich
Abstand der nächsten Annäherung: 60 Angström --> 6E-09 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Geborener Exponent: 0.9926 --> Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

B_M = (M*(q^2)*([Charge-e]^2)*(r₀^(n_born-1)))/(4*pi*[Permitivity-vacuum]*n_born) --> (1.7*(0.3^2)*([Charge-e]^2)*(6E-09^(0.9926-1)))/(4*pi*[Permitivity-vacuum]*0.9926)

Auswerten ... ...

B_M = 4.09285619643233E-29

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

4.09285619643233E-29 --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

4.09285619643233E-29 ≈ 4.1E-29 <-- Abstoßende Wechselwirkungskonstante bei gegebenem M

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Prerana Bakli

Universität von Hawaii in Mānoa (Äh, Manoa), Hawaii, USA

Prerana Bakli hat diesen Rechner und 800+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Akshada Kulkarni

Nationales Institut für Informationstechnologie (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner verifiziert!

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Gitterenergie unter Verwendung der Born-Lande-Gleichung

Gehen Gitterenergie = -([Avaga-no]*Madelung Constant*Ladung von Kation*Ladung von Anion*([Charge-e]^2)*(1-(1/Geborener Exponent)))/(4*pi*[Permitivity-vacuum]*Abstand der nächsten Annäherung)

Born-Exponent unter Verwendung der Born-Lande-Gleichung

Gehen Geborener Exponent = 1/(1-(-Gitterenergie*4*pi*[Permitivity-vacuum]*Abstand der nächsten Annäherung)/([Avaga-no]*Madelung Constant*([Charge-e]^2)*Ladung von Kation*Ladung von Anion))

Elektrostatische potentielle Energie zwischen Ionenpaaren

Gehen Elektrostatische potentielle Energie zwischen Ionenpaaren = (-(Aufladen^2)*([Charge-e]^2))/(4*pi*[Permitivity-vacuum]*Abstand der nächsten Annäherung)

Abstoßende Interaktion

Gehen Abstoßende Interaktion = Konstante der abstoßenden Wechselwirkung/(Abstand der nächsten Annäherung^Geborener Exponent)

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Abstoßungskonstante bei gegebener Madelung-Konstante Formel

Was ist die Born-Landé-Gleichung?

Die Born-Landé-Gleichung ist ein Mittel zur Berechnung der Gitterenergie einer kristallinen ionischen Verbindung. 1918 schlugen Max Born und Alfred Landé vor, die Gitterenergie aus dem elektrostatischen Potential des Ionengitters und einem abstoßenden Potentialenergieterm abzuleiten. Das Ionengitter wird als eine Anordnung von harten elastischen Kugeln modelliert, die durch die gegenseitige Anziehung der elektrostatischen Ladungen auf die Ionen zusammengedrückt werden. Sie erreichen den beobachteten Gleichgewichtsabstand aufgrund einer ausgleichenden Kurzstreckenabstoßung.

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