Widerstandslast Maximale Eingangsspannung CMOS Taschenrechner

✖Mit der Null-Vorspannungsschwellenspannung ist die Schwellenspannung eines MOSFET gemeint, wenn keine zusätzliche Vorspannung an das Substrat angelegt wird (normalerweise gemessen zwischen Gate und Source).ⓘ Null-Bias-Schwellenspannung [V_T0]			+10% -10%
✖Die Steilheit von NMOS bezeichnet das Verhältnis der Änderung des Ausgangs-Drainstroms zur Änderung der Eingangs-Gate-Source-Spannung bei konstanter Drain-Source-Spannung.ⓘ Steilheit von NMOS [K_n]			+10% -10%
✖Der Lastwiderstand ist der Widerstand, den die an einen Stromkreis angeschlossene externe Last darstellt. Er bestimmt die Menge des entnommenen Stroms und beeinflusst die Spannungs- und Leistungsverteilung des Stromkreises.ⓘ Lastwiderstand [R_L]			+10% -10%

✖Die maximale Eingangsspannung bei ohmscher Last CMOS bezieht sich bei einer ohmschen Last in CMOS auf den höchsten Spannungspegel, der an den Eingangsanschluss eines CMOS-Geräts angelegt werden kann, ohne Schaden zu verursachen.ⓘ Widerstandslast Maximale Eingangsspannung CMOS [V_IL(RL)]

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Formel

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Widerstandslast Maximale Eingangsspannung CMOS

Formel

V IL(RL) = V T0 + (\frac{1}{K n \cdot R L})

Beispiel

1.4025 V = 1.4 V + (\frac{1}{200 µA/V² \cdot 2 MΩ})

Taschenrechner

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Widerstandslast Maximale Eingangsspannung CMOS Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Ohmsche Last Maximale Eingangsspannung CMOS = Null-Bias-Schwellenspannung+(1/(Steilheit von NMOS*Lastwiderstand))
V_IL(RL) = V_T0+(1/(K_n*R_L))
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Ohmsche Last Maximale Eingangsspannung CMOS - (Gemessen in Volt) - Die maximale Eingangsspannung bei ohmscher Last CMOS bezieht sich bei einer ohmschen Last in CMOS auf den höchsten Spannungspegel, der an den Eingangsanschluss eines CMOS-Geräts angelegt werden kann, ohne Schaden zu verursachen.
Null-Bias-Schwellenspannung - (Gemessen in Volt) - Mit der Null-Vorspannungsschwellenspannung ist die Schwellenspannung eines MOSFET gemeint, wenn keine zusätzliche Vorspannung an das Substrat angelegt wird (normalerweise gemessen zwischen Gate und Source).
Steilheit von NMOS - (Gemessen in Ampere pro Quadratvolt) - Die Steilheit von NMOS bezeichnet das Verhältnis der Änderung des Ausgangs-Drainstroms zur Änderung der Eingangs-Gate-Source-Spannung bei konstanter Drain-Source-Spannung.
Lastwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Lastwiderstand ist der Widerstand, den die an einen Stromkreis angeschlossene externe Last darstellt. Er bestimmt die Menge des entnommenen Stroms und beeinflusst die Spannungs- und Leistungsverteilung des Stromkreises.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Null-Bias-Schwellenspannung: 1.4 Volt --> 1.4 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Steilheit von NMOS: 200 Mikroampere pro Quadratvolt --> 0.0002 Ampere pro Quadratvolt (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Lastwiderstand: 2 Megahm --> 2000000 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_IL(RL) = V_T0+(1/(K_n*R_L)) --> 1.4+(1/(0.0002*2000000))

Auswerten ... ...

V_IL(RL) = 1.4025

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1.4025 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1.4025 Volt <-- Ohmsche Last Maximale Eingangsspannung CMOS

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Priyanka Patel

Lalbhai Dalpatbhai College für Ingenieurwissenschaften (LDCE), Ahmedabad

Priyanka Patel hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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