Ziehen Sie den Strom im linearen Bereich herunter Taschenrechner

✖„Anzahl der parallelen Treibertransistoren“ bezieht sich auf die Anzahl der parallelen Treibertransistoren in der Schaltung.ⓘ Anzahl paralleler Treibertransistoren [n]			+10% -10%
✖Die Elektronenmobilität in MOSFET beschreibt, wie leicht sich Elektronen durch den Kanal bewegen können, was sich direkt auf den Stromfluss bei einer bestimmten Spannung auswirkt.ⓘ Elektronenmobilität [μ_n]			+10% -10%
✖Die Oxidkapazität bezeichnet die Kapazität, die mit der isolierenden Oxidschicht in einer Metall-Oxid-Halbleiterstruktur (MOS) wie beispielsweise in MOSFETs verbunden ist.ⓘ Oxidkapazität [C_ox]			+10% -10%
✖Die Kanalbreite stellt die Breite des leitenden Kanals innerhalb eines MOSFET dar und wirkt sich direkt auf die Strommenge aus, die er verarbeiten kann.ⓘ Kanalbreite [W]			+10% -10%
✖Die Kanallänge in einem MOSFET ist der Abstand zwischen den Source- und Drain-Bereichen. Sie bestimmt, wie leicht der Strom fließt und wirkt sich auf die Transistorleistung aus.ⓘ Kanallänge [L]			+10% -10%
✖Die Gate-Source-Spannung ist die Spannung, die zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines MOSFET angelegt wird.ⓘ Gate-Source-Spannung [V_GS]			+10% -10%
✖Die Schwellenspannung ist die minimale Gate-Source-Spannung, die in einem MOSFET erforderlich ist, um ihn „einzuschalten“ und einen signifikanten Stromfluss zu ermöglichen.ⓘ Grenzspannung [V_T]			+10% -10%
✖Ausgangsspannung in einer n-Kanal-MOSFET-Schaltung mit einem Pulldown-Widerstand, Vⓘ Ausgangsspannung [V_out]			+10% -10%

✖Der Pulldown-Strom im linearen Bereich ist der Strom durch den Widerstand, wenn ein Pulldown-Widerstand mit einem N-Kanal-MOSFET im linearen Modus verwendet wird.ⓘ Ziehen Sie den Strom im linearen Bereich herunter [I_D(linear)]

⎘ Kopie

👎

Formel

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen MOSFET Formel Pdf PDF Image

Ziehen Sie den Strom im linearen Bereich herunter Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Pulldown-Strom im linearen Bereich = sum(x,0,Anzahl paralleler Treibertransistoren,(Elektronenmobilität*Oxidkapazität/2)*(Kanalbreite/Kanallänge)*(2*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Ausgangsspannung-Ausgangsspannung^2))
I_D(linear) = sum(x,0,n,(μ_n*C_ox/2)*(W/L)*(2*(V_GS-V_T)*V_out-V_out^2))
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 9 Variablen

Verwendete Funktionen

sum - Die Summations- oder Sigma-Notation (∑) ist eine Methode, um eine lange Summe auf prägnante Weise aufzuschreiben., sum(i, from, to, expr)

Verwendete Variablen

Pulldown-Strom im linearen Bereich - (Gemessen in Ampere) - Der Pulldown-Strom im linearen Bereich ist der Strom durch den Widerstand, wenn ein Pulldown-Widerstand mit einem N-Kanal-MOSFET im linearen Modus verwendet wird.
Anzahl paralleler Treibertransistoren - „Anzahl der parallelen Treibertransistoren“ bezieht sich auf die Anzahl der parallelen Treibertransistoren in der Schaltung.
Elektronenmobilität - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - Die Elektronenmobilität in MOSFET beschreibt, wie leicht sich Elektronen durch den Kanal bewegen können, was sich direkt auf den Stromfluss bei einer bestimmten Spannung auswirkt.
Oxidkapazität - (Gemessen in Farad) - Die Oxidkapazität bezeichnet die Kapazität, die mit der isolierenden Oxidschicht in einer Metall-Oxid-Halbleiterstruktur (MOS) wie beispielsweise in MOSFETs verbunden ist.
Kanalbreite - (Gemessen in Meter) - Die Kanalbreite stellt die Breite des leitenden Kanals innerhalb eines MOSFET dar und wirkt sich direkt auf die Strommenge aus, die er verarbeiten kann.
Kanallänge - (Gemessen in Meter) - Die Kanallänge in einem MOSFET ist der Abstand zwischen den Source- und Drain-Bereichen. Sie bestimmt, wie leicht der Strom fließt und wirkt sich auf die Transistorleistung aus.
Gate-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-Source-Spannung ist die Spannung, die zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines MOSFET angelegt wird.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung ist die minimale Gate-Source-Spannung, die in einem MOSFET erforderlich ist, um ihn „einzuschalten“ und einen signifikanten Stromfluss zu ermöglichen.
Ausgangsspannung - (Gemessen in Volt) - Ausgangsspannung in einer n-Kanal-MOSFET-Schaltung mit einem Pulldown-Widerstand, V

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Anzahl paralleler Treibertransistoren: 11 --> Keine Konvertierung erforderlich
Elektronenmobilität: 9.92 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde --> 9.92 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde Keine Konvertierung erforderlich
Oxidkapazität: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Keine Konvertierung erforderlich
Kanalbreite: 2.678 Meter --> 2.678 Meter Keine Konvertierung erforderlich
Kanallänge: 3.45 Meter --> 3.45 Meter Keine Konvertierung erforderlich
Gate-Source-Spannung: 29.65 Volt --> 29.65 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Grenzspannung: 5.91 Volt --> 5.91 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Ausgangsspannung: 4.89 Volt --> 4.89 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_D(linear) = sum(x,0,n,(μ_n*C_ox/2)*(W/L)*(2*(V_GS-V_T)*V_out-V_out^2)) --> sum(x,0,11,(9.92*3.9/2)*(2.678/3.45)*(2*(29.65-5.91)*4.89-4.89^2))

Auswerten ... ...

I_D(linear) = 37526.2792793155

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

37526.2792793155 Ampere --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

37526.2792793155 ≈ 37526.28 Ampere <-- Pulldown-Strom im linearen Bereich

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » MOSFET » Analoge Elektronik » MOS-Transistor » Ziehen Sie den Strom im linearen Bereich herunter

Credits

Erstellt von Vignesh Naidu

Vellore Institut für Technologie (VIT), Vellore, Tamil Nadu

Vignesh Naidu hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Dipanjona Mallick

Heritage Institute of Technology (HITK), Kalkutta

Dipanjona Mallick hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

< MOS-Transistor Taschenrechner

Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung

LaTeX Gehen Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung = -(2*sqrt(Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen)/(Endspannung-Anfangsspannung)*(sqrt(Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen-Endspannung)-sqrt(Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen-Anfangsspannung)))

Fermipotential für P-Typ

LaTeX Gehen Fermipotential für P-Typ = ([BoltZ]*Absolute Temperatur)/[Charge-e]*ln(Intrinsische Trägerkonzentration/Dopingkonzentration des Akzeptors)

Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität

LaTeX Gehen Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität = Umfang der Seitenwand*Seitenwandübergangskapazität*Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung

Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung pro Längeneinheit

LaTeX Gehen Seitenwandübergangskapazität = Null-Bias-Seitenwandübergangspotential*Tiefe der Seitenwand

Mehr sehen >>