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✖Die Anzahl der Durchgangstransistoren ist die Anzahl der Transistoren, die zur Übertragung von Signalen von einem Teil der Schaltung zu einem anderen verwendet werden.ⓘ Anzahl der Durchgangstransistoren [N]			+10% -10%
✖Der Widerstand im MOSFET bezieht sich auf den Widerstand gegen den Stromfluss im Stromkreis.ⓘ Widerstand im MOSFET [R_m]			+10% -10%
✖Unter Lastkapazität versteht man die Gesamtkapazität am Ausgang eines Geräts, die typischerweise auf die Kapazität der angeschlossenen Lasten und der Leiterbahnen auf einer Leiterplatte (PCB) zurückzuführen ist.ⓘ Lastkapazität [C_l]			+10% -10%

✖Unter Ausbreitungszeit versteht man die Zeit, die ein Signal benötigt, um sich durch den Transistor vom Eingang zum Ausgang auszubreiten.ⓘ Ausbreitungszeit [T_p]

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Ausbreitungszeit Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Ausbreitungszeit = 0.7*Anzahl der Durchgangstransistoren*((Anzahl der Durchgangstransistoren+1)/2)*Widerstand im MOSFET*Lastkapazität
T_p = 0.7*N*((N+1)/2)*R_m*C_l
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Ausbreitungszeit - (Gemessen in Zweite) - Unter Ausbreitungszeit versteht man die Zeit, die ein Signal benötigt, um sich durch den Transistor vom Eingang zum Ausgang auszubreiten.
Anzahl der Durchgangstransistoren - Die Anzahl der Durchgangstransistoren ist die Anzahl der Transistoren, die zur Übertragung von Signalen von einem Teil der Schaltung zu einem anderen verwendet werden.
Widerstand im MOSFET - (Gemessen in Ohm) - Der Widerstand im MOSFET bezieht sich auf den Widerstand gegen den Stromfluss im Stromkreis.
Lastkapazität - (Gemessen in Farad) - Unter Lastkapazität versteht man die Gesamtkapazität am Ausgang eines Geräts, die typischerweise auf die Kapazität der angeschlossenen Lasten und der Leiterbahnen auf einer Leiterplatte (PCB) zurückzuführen ist.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Anzahl der Durchgangstransistoren: 13 --> Keine Konvertierung erforderlich
Widerstand im MOSFET: 542 Ohm --> 542 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
Lastkapazität: 22.54 Mikrofarad --> 2.254E-05 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

T_p = 0.7*N*((N+1)/2)*R_m*C_l --> 0.7*13*((13+1)/2)*542*2.254E-05

Auswerten ... ...

T_p = 0.778202516

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.778202516 Zweite --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.778202516 ≈ 0.778203 Zweite <-- Ausbreitungszeit

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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Körpereffekt im MOSFET

LaTeX Gehen Schwellenspannung mit Substrat = Schwellenspannung mit Zero Body Bias+Körpereffektparameter*(sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial+An den Körper angelegte Spannung)-sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial))

Drainstrom des MOSFET im Sättigungsbereich

LaTeX Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter/2*(Gate-Source-Spannung-Schwellenspannung mit Zero Body Bias)^2*(1+Modulationsfaktor der Kanallänge*Drain-Quellenspannung)

Kanalwiderstand

LaTeX Gehen Kanalwiderstand = Transistorlänge/Breite des Transistors*1/(Elektronenmobilität*Trägerdichte)

MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz

LaTeX Gehen Einheitsverstärkungsfrequenz im MOSFET = Transkonduktanz im MOSFET/(Gate-Source-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität)

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Ausbreitungszeit Formel

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Ausbreitungszeit = 0.7*Anzahl der Durchgangstransistoren*((Anzahl der Durchgangstransistoren+1)/2)*Widerstand im MOSFET*Lastkapazität
T_p = 0.7*N*((N+1)/2)*R_m*C_l

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