KGV rechner

Leistungsdichte nach Spannungsskalierung VLSI Taschenrechner

Maschinenbau Chemie Finanz Gesundheit Mehr >>

↳

Elektronik Bürgerlich Chemieingenieurwesen Elektrisch Mehr >>

⤿

VLSI-Herstellung Analoge Elektronik Analoge Kommunikation Antenne und Wellenausbreitung Mehr >>

⤿

VLSI-Materialoptimierung Analoges VLSI-Design

✖Die Leistungsdichte eines MOSFET ist als Maß für die Leistungsabgabe pro Flächeneinheit definiert. Es quantifiziert, wie viel Energie in einem bestimmten Raum verteilt ist.ⓘ Leistungsdichte-MOSFET [P_D]			+10% -10%
✖Der Skalierungsfaktor ist definiert als das Verhältnis, um das sich die Abmessungen des Transistors während des Designprozesses ändern.ⓘ Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor [Sf]			+10% -10%

✖Die Leistungsdichte nach Spannungsskalierung ist als Maß für die Leistungsabgabe pro Flächeneinheit definiert. Es quantifiziert die Leistungsverteilung innerhalb eines bestimmten Raums, wenn der MOSFET durch die Spannungsskalierungsmethode verkleinert wird.ⓘ Leistungsdichte nach Spannungsskalierung VLSI [P_D']

⎘ Kopie

👎

Formel

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen Elektronik Formel Pdf PDF Image

Leistungsdichte nach Spannungsskalierung VLSI Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Leistungsdichte nach Spannungsskalierung = Leistungsdichte-MOSFET*(Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor)^3
P_D' = P_D*(Sf)^3
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Leistungsdichte nach Spannungsskalierung - Die Leistungsdichte nach Spannungsskalierung ist als Maß für die Leistungsabgabe pro Flächeneinheit definiert. Es quantifiziert die Leistungsverteilung innerhalb eines bestimmten Raums, wenn der MOSFET durch die Spannungsskalierungsmethode verkleinert wird.
Leistungsdichte-MOSFET - Die Leistungsdichte eines MOSFET ist als Maß für die Leistungsabgabe pro Flächeneinheit definiert. Es quantifiziert, wie viel Energie in einem bestimmten Raum verteilt ist.
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor - Der Skalierungsfaktor ist definiert als das Verhältnis, um das sich die Abmessungen des Transistors während des Designprozesses ändern.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Leistungsdichte-MOSFET: 20 --> Keine Konvertierung erforderlich
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor: 1.5 --> Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

P_D' = P_D*(Sf)^3 --> 20*(1.5)^3

Auswerten ... ...

P_D' = 67.5

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

67.5 --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

67.5 <-- Leistungsdichte nach Spannungsskalierung

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » VLSI-Herstellung » VLSI-Materialoptimierung » Leistungsdichte nach Spannungsskalierung VLSI

Credits

Erstellt von Priyanka Patel

Lalbhai Dalpatbhai College für Ingenieurwissenschaften (LDCE), Ahmedabad

Priyanka Patel hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

< VLSI-Materialoptimierung Taschenrechner

Body-Effect-Koeffizient

LaTeX Gehen Körpereffektkoeffizient = modulus((Grenzspannung-Schwellenspannung DIBL)/(sqrt(Oberflächenpotential+(Potenzialdifferenz des Quellkörpers))-sqrt(Oberflächenpotential)))

DIBL-Koeffizient

LaTeX Gehen DIBL-Koeffizient = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/Drain-to-Source-Potenzial

Kanalladung

LaTeX Gehen Kanalgebühr = Gate-Kapazität*(Gate-zu-Kanal-Spannung-Grenzspannung)

Kritische Spannung

LaTeX Gehen Kritische Spannung = Kritisches elektrisches Feld*Elektrisches Feld über die Kanallänge

Mehr sehen >>