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Potenzial von Drain zu Source Taschenrechner

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Analoges VLSI-Design VLSI-Materialoptimierung

✖Die Schwellenspannung dibl ist definiert als die Mindestspannung, die der Source-Übergang des Body-Potentials benötigt, wenn die Source auf Body-Potential liegt.ⓘ Schwellenspannung DIBL [V_t0]			+10% -10%
✖Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.ⓘ Grenzspannung [V_t]			+10% -10%
✖Der DIBL-Koeffizient in einem CMOS-Gerät liegt typischerweise in der Größenordnung von 0,1.ⓘ DIBL-Koeffizient [η]			+10% -10%

✖Drain-Source-Potenzial ist das Potenzial zwischen Drain und Source.ⓘ Potenzial von Drain zu Source [V_ds]

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Potenzial von Drain zu Source Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Drain-to-Source-Potenzial = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/DIBL-Koeffizient
V_ds = (V_t0-V_t)/η
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Drain-to-Source-Potenzial - (Gemessen in Volt) - Drain-Source-Potenzial ist das Potenzial zwischen Drain und Source.
Schwellenspannung DIBL - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung dibl ist definiert als die Mindestspannung, die der Source-Übergang des Body-Potentials benötigt, wenn die Source auf Body-Potential liegt.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.
DIBL-Koeffizient - Der DIBL-Koeffizient in einem CMOS-Gerät liegt typischerweise in der Größenordnung von 0,1.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Schwellenspannung DIBL: 0.59 Volt --> 0.59 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Grenzspannung: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Keine Konvertierung erforderlich
DIBL-Koeffizient: 0.2 --> Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_ds = (V_t0-V_t)/η --> (0.59-0.3)/0.2

Auswerten ... ...

V_ds = 1.45

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1.45 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1.45 Volt <-- Drain-to-Source-Potenzial

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Drain Voltage

LaTeX Gehen Basiskollektorspannung = sqrt(Dynamische Kraft/(Frequenz*Kapazität))

Gate-zu-Basis-Kapazität

LaTeX Gehen Gate-zu-Basis-Kapazität = Gate-Kapazität-(Gate-Source-Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität)

Gate-zu-Kanal-Spannung

LaTeX Gehen Gate-zu-Kanal-Spannung = (Kanalgebühr/Gate-Kapazität)+Grenzspannung

Gate-to-Collector-Potenzial

LaTeX Gehen Gate-zu-Kanal-Spannung = (Tor-zu-Quelle-Potenzial+Tor zur Potenzialentwässerung)/2

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Potenzial von Drain zu Source Formel

LaTeX Gehen

Drain-to-Source-Potenzial = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/DIBL-Koeffizient
V_ds = (V_t0-V_t)/η

Was ist eine Verarmungsregion?

Wenn eine positive Spannung über das Gate übertragen wird, werden die freien Löcher (positive Ladung) aus dem Bereich des Substrats unter dem Gate zurückgeschoben oder abgestoßen. Wenn diese Löcher auf das Substrat gedrückt werden, hinterlassen sie einen Trägerverarmungsbereich.

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