Positive Spannung bei gegebener Kanallänge in NMOS Taschenrechner

✖Der Geräteparameter ist der Parameter, der bei der Berechnung in Bezug auf den MOSFET verwendet wird. VA ist proportional zur Kanallänge L, die der Entwickler für einen MOSFET auswählt.ⓘ Geräteparameter [V_A]			+10% -10%
✖Die Länge des Kanals kann als Abstand zwischen seinem Anfangs- und seinem Endpunkt definiert werden und kann je nach Zweck und Standort stark variieren.ⓘ Länge des Kanals [L]			+10% -10%

✖Spannung ist die elektrische Potenzialdifferenz zwischen zwei Punkten, die als die Arbeit definiert ist, die pro Ladungseinheit erforderlich ist, um eine Testladung zwischen den beiden Punkten zu bewegen.ⓘ Positive Spannung bei gegebener Kanallänge in NMOS [V]

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Formel

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Positive Spannung bei gegebener Kanallänge in NMOS

Formel

V = V A \cdot L

Beispiel

1.2E-5 V = 4 V \cdot 3 μm

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Positive Spannung bei gegebener Kanallänge in NMOS Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Stromspannung = Geräteparameter*Länge des Kanals
V = V_A*L
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Stromspannung - (Gemessen in Volt) - Spannung ist die elektrische Potenzialdifferenz zwischen zwei Punkten, die als die Arbeit definiert ist, die pro Ladungseinheit erforderlich ist, um eine Testladung zwischen den beiden Punkten zu bewegen.
Geräteparameter - (Gemessen in Volt) - Der Geräteparameter ist der Parameter, der bei der Berechnung in Bezug auf den MOSFET verwendet wird. VA ist proportional zur Kanallänge L, die der Entwickler für einen MOSFET auswählt.
Länge des Kanals - (Gemessen in Meter) - Die Länge des Kanals kann als Abstand zwischen seinem Anfangs- und seinem Endpunkt definiert werden und kann je nach Zweck und Standort stark variieren.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Geräteparameter: 4 Volt --> 4 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Länge des Kanals: 3 Mikrometer --> 3E-06 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V = V_A*L --> 4*3E-06

Auswerten ... ...

V = 1.2E-05

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1.2E-05 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1.2E-05 ≈ 1.2E-5 Volt <-- Stromspannung

(Berechnung in 00.006 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS

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Stromeintritt in den Drain-Anschluss des NMOS bei gegebener Gate-Source-Spannung

Gehen Drainstrom im NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*((Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Drain-Quellenspannung-1/2*Drain-Quellenspannung^2)

NMOS als linearer Widerstand

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Elektronendriftgeschwindigkeit des Kanals im NMOS-Transistor

Gehen Elektronendriftgeschwindigkeit = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Elektrisches Feld über die Länge des Kanals

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Positive Spannung bei gegebener Kanallänge in NMOS Formel

Stromspannung = Geräteparameter*Länge des Kanals
V = V_A*L

Wofür wird ein MOSFET verwendet?

Der MOSFET-Transistor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) ist ein Halbleiterbauelement, das häufig zum Schalten und zur Verstärkung elektronischer Signale in elektronischen Bauelementen verwendet wird.

Was sind die Arten von MOSFETs?

Es gibt zwei Klassen von MOSFETs. Es gibt einen Verarmungsmodus und einen Verbesserungsmodus. Jede Klasse ist als n- oder p-Kanal verfügbar, was insgesamt vier Arten von MOSFETs ergibt. Der Verarmungsmodus kommt in einem N oder einem P und ein Verbesserungsmodus kommt in einem N oder einem P.

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