Positive Spannung bei gegebenem Geräteparameter im MOSFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Eingangsstrom = Gate-Source-Spannung*(Winkelfrequenz*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))
Iin = Vgs*(ω*(Csg+Cgd))
Diese formel verwendet 5 Variablen
Verwendete Variablen
Eingangsstrom - (Gemessen in Ampere) - Eingangsstrom kann sich auf den elektrischen Strom beziehen, der in ein elektrisches Gerät oder einen Stromkreis fließt. Dieser Strom kann je nach Gerät und Stromquelle Wechsel- oder Gleichstrom sein.
Gate-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird.
Winkelfrequenz - (Gemessen in Radiant pro Sekunde) - Die Winkelfrequenz einer Welle bezieht sich auf die Winkelverschiebung pro Zeiteinheit. Es ist ein skalares Maß für die Rotationsgeschwindigkeit.
Source-Gate-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Source-Gate-Kapazität ist ein Maß für die Kapazität zwischen den Source- und Gate-Elektroden in einem Feldeffekttransistor (FET).
Gate-Drain-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Drain-Kapazität ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Gate- und Drain-Elektroden eines Feldeffekttransistors (FET) besteht.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Gate-Source-Spannung: 4 Volt --> 4 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Winkelfrequenz: 33 Radiant pro Sekunde --> 33 Radiant pro Sekunde Keine Konvertierung erforderlich
Source-Gate-Kapazität: 8.16 Mikrofarad --> 8.16E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Gate-Drain-Kapazität: 7 Mikrofarad --> 7E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Iin = Vgs*(ω*(Csg+Cgd)) --> 4*(33*(8.16E-06+7E-06))
Auswerten ... ...
Iin = 0.00200112
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.00200112 Ampere -->2.00112 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
2.00112 Milliampere <-- Eingangsstrom
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

Stromspannung Taschenrechner

Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET bei Gleichtaktsignal
​ LaTeX ​ Gehen Drain-Spannung Q1 = -Ausgangswiderstand*(Steilheit*Gleichtakt-Eingangssignal)/(1+(2*Steilheit*Ausgangswiderstand))
Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET bei Gleichtaktsignal
​ LaTeX ​ Gehen Drain-Spannung Q2 = -(Ausgangswiderstand/((1/Steilheit)+2*Ausgangswiderstand))*Gleichtakt-Eingangssignal
Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET
​ LaTeX ​ Gehen Drain-Spannung Q1 = -(Ausgangswiderstand*Gesamtstrom)
Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET
​ LaTeX ​ Gehen Drain-Spannung Q2 = -(Ausgangswiderstand*Gesamtstrom)

Positive Spannung bei gegebenem Geräteparameter im MOSFET Formel

​LaTeX ​Gehen
Eingangsstrom = Gate-Source-Spannung*(Winkelfrequenz*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))
Iin = Vgs*(ω*(Csg+Cgd))

Wofür wird ein MOSFET verwendet?

Der MOSFET-Transistor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) ist ein Halbleiterbauelement, das häufig zum Schalten und zur Verstärkung elektronischer Signale in elektronischen Bauelementen verwendet wird.

Was sind die Arten von MOSFETs?

Es gibt zwei Klassen von MOSFETs. Es gibt einen Verarmungsmodus und einen Verbesserungsmodus. Jede Klasse ist als n- oder p-Kanal verfügbar, was insgesamt vier Arten von MOSFETs ergibt. Der Verarmungsmodus kommt in einem N oder einem P und ein Verbesserungsmodus kommt in einem N oder einem P.

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