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PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI Taschenrechner

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VLSI-Materialoptimierung Analoges VLSI-Design

✖Unter Akzeptorkonzentration versteht man die Konzentration von Akzeptor-Dotierstoffatomen in einem Halbleitermaterial.ⓘ Akzeptorkonzentration [N_A]			+10% -10%
✖Die eingebaute Übergangsspannung ist definiert als die Spannung, die an einem Halbleiterübergang im thermischen Gleichgewicht anliegt, an dem keine externe Spannung angelegt wird.ⓘ Eingebaute Anschlussspannung [Ø₀]			+10% -10%
✖Drain-Source-Potenzial ist das Potenzial zwischen Drain und Source.ⓘ Drain-to-Source-Potenzial [V_ds]			+10% -10%

✖Die Verarmungstiefe des Pn-Übergangs mit Drain ist definiert als die Ausdehnung des Verarmungsbereichs in das Halbleitermaterial in der Nähe des Drain-Anschlusses.ⓘ PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI [x_dD]

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Formel

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PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI

Formel

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum]}{[Charge-e] \cdot N A}) \cdot (Ø 0 + V ds)}

Beispiel

0.534467 μm = \sqrt{(\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum]}{[Charge-e] \cdot 1e+16 /cm³}) \cdot (0.76 V + 1.45 V)}

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PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Erschöpfungstiefe des Pn-Übergangs mit Abfluss = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*Akzeptorkonzentration))*(Eingebaute Anschlussspannung+Drain-to-Source-Potenzial))
x_dD = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*N_A))*(Ø₀+V_ds))
Diese formel verwendet 3 Konstanten, 1 Funktionen, 4 Variablen

Verwendete Konstanten

[Permitivity-silicon] - Permittivität von Silizium Wert genommen als 11.7
[Permitivity-vacuum] - Permittivität des Vakuums Wert genommen als 8.85E-12
[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19

Verwendete Funktionen

sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)

Verwendete Variablen

Erschöpfungstiefe des Pn-Übergangs mit Abfluss - (Gemessen in Meter) - Die Verarmungstiefe des Pn-Übergangs mit Drain ist definiert als die Ausdehnung des Verarmungsbereichs in das Halbleitermaterial in der Nähe des Drain-Anschlusses.
Akzeptorkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Unter Akzeptorkonzentration versteht man die Konzentration von Akzeptor-Dotierstoffatomen in einem Halbleitermaterial.
Eingebaute Anschlussspannung - (Gemessen in Volt) - Die eingebaute Übergangsspannung ist definiert als die Spannung, die an einem Halbleiterübergang im thermischen Gleichgewicht anliegt, an dem keine externe Spannung angelegt wird.
Drain-to-Source-Potenzial - (Gemessen in Volt) - Drain-Source-Potenzial ist das Potenzial zwischen Drain und Source.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Akzeptorkonzentration: 1E+16 1 pro Kubikzentimeter --> 1E+22 1 pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Eingebaute Anschlussspannung: 0.76 Volt --> 0.76 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Drain-to-Source-Potenzial: 1.45 Volt --> 1.45 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

x_dD = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*N_A))*(Ø₀+V_ds)) --> sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*1E+22))*(0.76+1.45))

Auswerten ... ...

x_dD = 5.34466520692296E-07

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

5.34466520692296E-07 Meter -->0.534466520692296 Mikrometer (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.534466520692296 ≈ 0.534467 Mikrometer <-- Erschöpfungstiefe des Pn-Übergangs mit Abfluss

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Priyanka Patel

Lalbhai Dalpatbhai College für Ingenieurwissenschaften (LDCE), Ahmedabad

Priyanka Patel hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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Body-Effect-Koeffizient

Gehen Körpereffektkoeffizient = modulus((Grenzspannung-Schwellenspannung DIBL)/(sqrt(Oberflächenpotential+(Potenzialdifferenz des Quellkörpers))-sqrt(Oberflächenpotential)))

DIBL-Koeffizient

Gehen DIBL-Koeffizient = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/Drain-to-Source-Potenzial

Kanalladung

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Kritische Spannung

Gehen Kritische Spannung = Kritisches elektrisches Feld*Elektrisches Feld über die Kanallänge

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