Oxidkapazität von NMOS Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Oxidkapazität = (3.45*10^(-11))/Oxiddicke
Cox = (3.45*10^(-11))/tox
Diese formel verwendet 2 Variablen
Verwendete Variablen
Oxidkapazität - (Gemessen in Farad) - Die Oxidkapazität ist ein wichtiger Parameter, der die Leistung von MOS-Geräten beeinflusst, beispielsweise die Geschwindigkeit und den Stromverbrauch integrierter Schaltkreise.
Oxiddicke - (Gemessen in Meter) - Unter Oxiddicke versteht man die Dicke einer dünnen Schicht aus Oxidmaterial, die auf der Oberfläche eines Substrats gebildet wird, typischerweise einem Halbleitermaterial wie Silizium.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Oxiddicke: 17 Mikrometer --> 1.7E-05 Meter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Cox = (3.45*10^(-11))/tox --> (3.45*10^(-11))/1.7E-05
Auswerten ... ...
Cox = 2.02941176470588E-06
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
2.02941176470588E-06 Farad -->2.02941176470588 Mikrofarad (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
2.02941176470588 2.029412 Mikrofarad <-- Oxidkapazität
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

N-Kanal-Verbesserung Taschenrechner

Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS
​ LaTeX ​ Gehen Drainstrom im NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*((Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Drain-Quellenspannung-1/2*(Drain-Quellenspannung)^2)
Stromeintritt in den Drain-Anschluss des NMOS bei gegebener Gate-Source-Spannung
​ LaTeX ​ Gehen Drainstrom im NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*((Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Drain-Quellenspannung-1/2*Drain-Quellenspannung^2)
NMOS als linearer Widerstand
​ LaTeX ​ Gehen Linearer Widerstand = Länge des Kanals/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Breite des Kanals*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung))
Elektronendriftgeschwindigkeit des Kanals im NMOS-Transistor
​ LaTeX ​ Gehen Elektronendriftgeschwindigkeit = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Elektrisches Feld über die Länge des Kanals

Oxidkapazität von NMOS Formel

​LaTeX ​Gehen
Oxidkapazität = (3.45*10^(-11))/Oxiddicke
Cox = (3.45*10^(-11))/tox

Was ist Oxidkapazität?

Es ist das Verhältnis der Permittivität des Siliciumdioxids, das 3,45 × 10 beträgt

Erklären Sie den gesamten Prozess des Kanalbereichs des MOSFET, der einen Parallelplattenkondensator bildet.

Das Gate und der Kanalbereich des MOSFET bilden einen Parallelplattenkondensator, wobei die Oxidschicht als Kondensatordielektrikum fungiert. Die positive Gate-Spannung bewirkt, dass sich eine positive Ladung auf der oberen Platte des Kondensators (der Gate-Elektrode) ansammelt. Die entsprechende negative Ladung auf der Bodenplatte wird von den Elektronen im induzierten Kanal gebildet. In vertikaler Richtung entsteht somit ein elektrisches Feld. Dieses Feld steuert die Ladungsmenge im Kanal und bestimmt somit die Kanalleitfähigkeit und damit den Strom, der beim Anlegen einer Spannung durch den Kanal fließt.

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