Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz Taschenrechner

✖Der Sättigungs-Drain-Strom ist als Strom unterhalb des Schwellenwerts definiert und variiert exponentiell mit der Gate-Source-Spannung.ⓘ Sättigungsstrom [i_ds]			+10% -10%
✖Der Transkonduktanzparameter des Prozesses ist das Produkt der Mobilität der Elektronen im Kanal und der Oxidkapazität.ⓘ Transkonduktanzparameter verarbeiten [k'_n]			+10% -10%
✖Die Kanalbreite ist die Abmessung des Kanals des MOSFET.ⓘ Breite des Kanals [W_c]			+10% -10%
✖Die Länge des Kanals L, also der Abstand zwischen den beiden -p-Übergängen.ⓘ Länge des Kanals [L]			+10% -10%

✖Als effektive Spannung oder Übersteuerungsspannung wird der Überschuss der Spannung am Oxid gegenüber der thermischen Spannung bezeichnet.ⓘ Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz [V_ov]

⎘ Kopie

👎

Formel

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen Eigenschaften des Transistorverstärkers Formeln Pdf PDF Image

Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Effektive Spannung = sqrt(2*Sättigungsstrom/(Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)))
V_ov = sqrt(2*i_ds/(k'_n*(W_c/L)))
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 5 Variablen

Verwendete Funktionen

sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)

Verwendete Variablen

Effektive Spannung - (Gemessen in Volt) - Als effektive Spannung oder Übersteuerungsspannung wird der Überschuss der Spannung am Oxid gegenüber der thermischen Spannung bezeichnet.
Sättigungsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Sättigungs-Drain-Strom ist als Strom unterhalb des Schwellenwerts definiert und variiert exponentiell mit der Gate-Source-Spannung.
Transkonduktanzparameter verarbeiten - (Gemessen in Ampere pro Quadratvolt) - Der Transkonduktanzparameter des Prozesses ist das Produkt der Mobilität der Elektronen im Kanal und der Oxidkapazität.
Breite des Kanals - (Gemessen in Meter) - Die Kanalbreite ist die Abmessung des Kanals des MOSFET.
Länge des Kanals - (Gemessen in Meter) - Die Länge des Kanals L, also der Abstand zwischen den beiden -p-Übergängen.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Sättigungsstrom: 4.721 Milliampere --> 0.004721 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Transkonduktanzparameter verarbeiten: 0.2 Ampere pro Quadratvolt --> 0.2 Ampere pro Quadratvolt Keine Konvertierung erforderlich
Breite des Kanals: 10.15 Mikrometer --> 1.015E-05 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Länge des Kanals: 3.25 Mikrometer --> 3.25E-06 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_ov = sqrt(2*i_ds/(k'_n*(W_c/L))) --> sqrt(2*0.004721/(0.2*(1.015E-05/3.25E-06)))

Auswerten ... ...

V_ov = 0.122949186508306

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.122949186508306 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.122949186508306 ≈ 0.122949 Volt <-- Effektive Spannung

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » Verstärker » Transistorverstärker » Eigenschaften des Transistorverstärkers » Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz

Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< Eigenschaften des Transistorverstärkers Taschenrechner

Strom, der durch den induzierten Kanal im Transistor bei gegebener Oxidspannung fließt

LaTeX Gehen Ausgangsstrom = (Mobilität des Elektrons*Oxidkapazität*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Spannung über Oxid-Grenzspannung))*Sättigungsspannung zwischen Drain und Source

Stromeintritt in den Drain-Anschluss des MOSFET bei Sättigung

LaTeX Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Effektive Spannung)^2

Gesamte momentane Drain-Spannung

LaTeX Gehen Gesamte momentane Entladespannung = Grundkomponentenspannung-Abflusswiderstand*Stromverbrauch

Eingangsspannung im Transistor

LaTeX Gehen Grundkomponentenspannung = Abflusswiderstand*Stromverbrauch-Gesamte momentane Entladespannung

Mehr sehen >>

Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz Formel

LaTeX Gehen

Effektive Spannung = sqrt(2*Sättigungsstrom/(Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)))
V_ov = sqrt(2*i_ds/(k'_n*(W_c/L)))

Was ist der Unterschied zwischen Impedanz und Widerstand?

Widerstand ist einfach definiert als der Widerstand gegen den Stromfluss im Stromkreis. Die Impedanz ist dem Wechselstromfluss entgegengesetzt, da drei Komponenten resistiv, induktiv oder kapazitiv sind. Es ist eine Kombination aus Widerstand und Reaktanz in einem Stromkreis.

Zuhause

FREI PDFs

🔍 Suche

Kategorien

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!