Ausgangswiderstand des Transistors bei Eigenverstärkung Taschenrechner

✖Die Frühspannung hängt vollständig von der Prozesstechnologie ab und hat die Größe Volt pro Mikrometer. Typischerweise beträgt V; liegt im Bereich von 5 V/μm bis 50 V/μm.ⓘ Frühe Spannung [V_a']			+10% -10%
✖Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.ⓘ Kollektorstrom [i_c]			+10% -10%

✖Der endliche Ausgangswiderstand ist ein Maß dafür, wie stark sich die Ausgangsimpedanz des Transistors bei Änderungen der Ausgangsspannung ändert.ⓘ Ausgangswiderstand des Transistors bei Eigenverstärkung [R_out]

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Ausgangswiderstand des Transistors bei Eigenverstärkung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Endlicher Ausgangswiderstand = Frühe Spannung/Kollektorstrom
R_out = V_a'/i_c
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Endlicher Ausgangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der endliche Ausgangswiderstand ist ein Maß dafür, wie stark sich die Ausgangsimpedanz des Transistors bei Änderungen der Ausgangsspannung ändert.
Frühe Spannung - (Gemessen in Volt pro Meter) - Die Frühspannung hängt vollständig von der Prozesstechnologie ab und hat die Größe Volt pro Mikrometer. Typischerweise beträgt V; liegt im Bereich von 5 V/μm bis 50 V/μm.
Kollektorstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Frühe Spannung: 13.85 Volt pro Meter --> 13.85 Volt pro Meter Keine Konvertierung erforderlich
Kollektorstrom: 39.52 Milliampere --> 0.03952 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

R_out = V_a'/i_c --> 13.85/0.03952

Auswerten ... ...

R_out = 350.455465587045

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

350.455465587045 Ohm -->0.350455465587045 Kiloohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.350455465587045 ≈ 0.350455 Kiloohm <-- Endlicher Ausgangswiderstand

(Berechnung in 00.018 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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LaTeX Gehen Kollektorstrom = Sättigungsstrom*e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)

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LaTeX Gehen Sättigungsstrom = Kollektorstrom/e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)

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LaTeX Gehen Widerstand zwischen Abfluss und Erde = (1/Endlicher Ausgangswiderstand von Transistor 1+1/Eingangswiderstand)^-1

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Ausgangswiderstand des Transistors bei Eigenverstärkung Formel

LaTeX Gehen

Endlicher Ausgangswiderstand = Frühe Spannung/Kollektorstrom
R_out = V_a'/i_c

Was ist intrinsischer Gewinn?

Die Eigenverstärkung der BJT-Formel ist definiert als die maximal mögliche Spannungsverstärkung eines typischen Transistors, unabhängig vom Vorspannungspunkt. es bedeutet mehr, das ist die maximale Verstärkung eines CE-Verstärkers (Common Emitter) durch Eliminieren von I.

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