Ausgangswiderstand der Stromquelle NMOS bei gegebenem Drain-Strom Taschenrechner

✖Der Geräteparameter ist der Parameter, der bei der Berechnung in Bezug auf den MOSFET verwendet wird. VA ist proportional zur Kanallänge L, die der Entwickler für einen MOSFET auswählt.ⓘ Geräteparameter [V_A]			+10% -10%
✖Drainstrom ohne Kanallängenmodulation bedeutet, dass der Drainstrom im Sättigungsbereich mit zunehmender Drain-Source-Spannung leicht ansteigt.ⓘ Drainstrom ohne Kanallängenmodulation [I_D']			+10% -10%

✖Der Ausgangswiderstand bezieht sich auf den Widerstand einer elektronischen Schaltung gegenüber dem Stromfluss, wenn eine Last an ihren Ausgang angeschlossen ist.ⓘ Ausgangswiderstand der Stromquelle NMOS bei gegebenem Drain-Strom [R_out]

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Formel

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Ausgangswiderstand der Stromquelle NMOS bei gegebenem Drain-Strom

Formel

R out = \frac{V A}{I D'}

Beispiel

1.25 kΩ = \frac{4 V}{3.2 mA}

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Ausgangswiderstand der Stromquelle NMOS bei gegebenem Drain-Strom Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Ausgangswiderstand = Geräteparameter/Drainstrom ohne Kanallängenmodulation
R_out = V_A/I_D'
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Ausgangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Ausgangswiderstand bezieht sich auf den Widerstand einer elektronischen Schaltung gegenüber dem Stromfluss, wenn eine Last an ihren Ausgang angeschlossen ist.
Geräteparameter - (Gemessen in Volt) - Der Geräteparameter ist der Parameter, der bei der Berechnung in Bezug auf den MOSFET verwendet wird. VA ist proportional zur Kanallänge L, die der Entwickler für einen MOSFET auswählt.
Drainstrom ohne Kanallängenmodulation - (Gemessen in Ampere) - Drainstrom ohne Kanallängenmodulation bedeutet, dass der Drainstrom im Sättigungsbereich mit zunehmender Drain-Source-Spannung leicht ansteigt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Geräteparameter: 4 Volt --> 4 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Drainstrom ohne Kanallängenmodulation: 3.2 Milliampere --> 0.0032 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

R_out = V_A/I_D' --> 4/0.0032

Auswerten ... ...

R_out = 1250

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1250 Ohm -->1.25 Kiloohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1.25 Kiloohm <-- Ausgangswiderstand

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS

Gehen Drainstrom im NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*((Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Drain-Quellenspannung-1/2*(Drain-Quellenspannung)^2)

Stromeintritt in den Drain-Anschluss des NMOS bei gegebener Gate-Source-Spannung

Gehen Drainstrom im NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*((Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Drain-Quellenspannung-1/2*Drain-Quellenspannung^2)

NMOS als linearer Widerstand

Gehen Linearer Widerstand = Länge des Kanals/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Breite des Kanals*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung))

Elektronendriftgeschwindigkeit des Kanals im NMOS-Transistor

Gehen Elektronendriftgeschwindigkeit = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Elektrisches Feld über die Länge des Kanals

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Ausgangswiderstand der Stromquelle NMOS bei gegebenem Drain-Strom Formel

Ausgangswiderstand = Geräteparameter/Drainstrom ohne Kanallängenmodulation
R_out = V_A/I_D'

Was ist ein MOSFET und wie funktioniert er?

Im Allgemeinen arbeitet der MOSFET als Schalter, der MOSFET steuert den Spannungs- und Stromfluss zwischen Source und Drain. Die Arbeitsweise des MOSFET hängt vom MOS-Kondensator ab, der die Halbleiteroberfläche unterhalb der Oxidschichten zwischen Source- und Drain-Anschluss ist.

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